氧化还原电位的复合电极

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN01216710.X

申请日：

2001-02-27

公开(公告)号：

CN2468048Y

公开(公告)日：

2001-12-26

发明(设计)人：

侯保荣段继周朱素兰黄彦良

申请人：

申请人地址：

266071山东省青岛市南海路7号

IPC主分类号：

G01N2730

IPC分类号：

代理机构：

青岛海昊专利事务所

代理人：

张中南

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-12-26	授权	授权
2003-03-26	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

氧化还原电位仪 [P].

孙立伟 .

中国专利 :CN307441560S ,2022-07-08

[2]

一种氧化还原电位数字电极 [P].

王崟 .

中国专利 :CN210136199U ,2020-03-10

[3]

氧化还原电极 [P].

柏永春 ;

陈立志 ;

刘奎 .

中国专利 :CN309512378S ,2025-09-23

[4]

一种用于测量氧化还原电位的参比电极 [P].

孙立伟 .

中国专利 :CN217133031U ,2022-08-05

[5]

一种用于测量氧化还原电位的工作电极 [P].

孙立伟 .

中国专利 :CN217007105U ,2022-07-19

[6]

氧化电位水的氧化还原电位的在线检测装置 [P].

林杨生 ;

梁鸿均 .

中国专利 :CN103293210A ,2013-09-11

[7]

防电极极化效应氧化还原电位检测瓶 [P].

李铁龙 ;

鞠美庭 ;

王媛 ;

刘大喜 ;

雷小虎 ;

黄访 ;

姚勇 ;

叶盛林 .

中国专利 :CN202083664U ,2011-12-21

[8]

自动调控氧化还原电位的装置 [P].

张延平 ;

王少华 ;

刘伟 ;

李寅 .

中国专利 :CN202099288U ,2012-01-04

[9]

一种氧化还原电位微电极及其制备方法 [P].

王磊 ;

王旭东 ;

吕永涛 ;

杨永哲 ;

白晓荣 ;

叶静陶 ;

佐藤久 ;

福士宪一 .

中国专利 :CN101881748A ,2010-11-10

[10]

PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液 [P].

何平 ;

钟海辉 ;

张志远 .

中国专利 :CN106596687A ,2017-04-26

← 1 2 3 4 5 →