具有高击穿电压的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680022229.9

申请日：

2006-06-14

公开(公告)号：

CN101203960A

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

简·雄斯基安科·黑林格

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L2908 H01L29786

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-18	公开	公开
2012-09-26	授权	授权
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 [P].

孙超 .

中国专利 :CN110024131A ,2019-07-16

[2]

具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 [P].

孙超 .

中国专利 :CN111524961A ,2020-08-11

[3]

具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 [P].

孙超 .

中国专利 :CN111627985A ,2020-09-04

[4]

具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法 [P].

孙超 .

中国专利 :CN110024134A ,2019-07-16

[5]

具有高击穿电压的半导体器件及其制造方法 [P].

高田和彦 .

中国专利 :CN103187450A ,2013-07-03

[6]

具有高击穿电压的半导体器件 [P].

江本孝朗 ;

盐见武夫 .

中国专利 :CN85106895B ,1987-03-11

[7]

高击穿电压半导体器件 [P].

曹大为 ;

北村睦美 ;

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN103493207B ,2014-01-01

[8]

具有高击穿电压的半导体装置及其制造方法 [P].

李泰福 .

中国专利 :CN1926673A ,2007-03-07

[9]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

张德基 .

中国专利 :CN101308874A ,2008-11-19

[10]

具有高击穿电压的半导体装置及其制造方法 [P].

李泰福 .

中国专利 :CN1954441A ,2007-04-25

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