用微米级工艺制备纳米级CMOS集成电路的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810150930.X

申请日：

2008-09-12

公开(公告)号：

CN101359626B

公开(公告)日：

2009-02-04

发明(设计)人：

张鹤鸣戴显英胡辉勇宣荣喜舒斌宋建军王冠宇秦珊珊王晓燕

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;黎汉华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-04	公开	公开
2010-06-02	授权	授权
2015-11-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101631810244 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利号:ZL200810150930X 申请日:20080912 授权公告日:20100602 终止日期:20140912
2009-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用微米级工艺制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

宋建军 ;

赵丽霞 ;

屈江涛 ;

徐小波 .

中国专利 :CN101359631B ,2009-02-04

[2]

SiN掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

戴显英 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

赵丽霞 ;

王晓燕 ;

秦珊珊 .

中国专利 :CN101359632B ,2009-02-04

[3]

基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法 [P].

张鹤鸣 ;

戴显英 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王冠宇 ;

徐小波 ;

屈江涛 .

中国专利 :CN101359625A ,2009-02-04

[4]

基于SiN/SiO2掩蔽技术的纳米级CMOS集成电路制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

戴显英 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

赵丽霞 ;

王晓燕 ;

秦珊珊 .

中国专利 :CN101359628A ,2009-02-04

[5]

用微米级工艺制备纳米级PMOS控制电路方法 [P].

张骅 ;

张文华 ;

舒钰 ;

胡霄 ;

曹有权 .

中国专利 :CN105405767A ,2016-03-16

[6]

一种SiO2掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法 [P].

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

胡辉勇 ;

王冠宇 ;

秦珊珊 ;

王晓燕 .

中国专利 :CN101359630A ,2009-02-04

[7]

混合微米级-纳米级神经形态集成电路 [P].

G·S·施奈德 .

中国专利 :CN101889343B ,2010-11-17

[8]

一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法 [P].

张鹤鸣 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

舒斌 ;

宋建军 ;

王冠宇 ;

赵丽霞 ;

徐小波 ;

屈江涛 .

中国专利 :CN101359627B ,2009-02-04

[9]

基于SiO2掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

舒斌 ;

宋建军 ;

赵丽霞 ;

屈江涛 ;

徐小波 .

中国专利 :CN101359629A ,2009-02-04

[10]

用微米级工艺制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法 [P].

舒钰 ;

陈尔钐 ;

毕文婷 ;

胡霄 .

中国专利 :CN105374690A ,2016-03-02

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