一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910119881.8

申请日：

2009-03-20

公开(公告)号：

CN101508560B

公开(公告)日：

2009-08-19

发明(设计)人：

林元华兰金叻方辉南策文

申请人：

申请人地址：

100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室

IPC主分类号：

H01L3534

IPC分类号：

C04B3501 C04B35622 H01L3522

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

邸更岩

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101457719180 IPC(主分类):H01L 35/34 专利号:ZL2009101198818 申请日:20090320 授权公告日:20110720 终止日期:20120320
2009-08-19	公开	公开
2009-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种Bi2O2Se基热电材料及其制备方法 [P].

詹斌 ;

林元华 .

中国专利 :CN104261357B ,2015-01-07

[2]

一种Cu掺杂的(Bi,Sb)2Te3热电材料的制备方法及其产品 [P].

刘峰铭 ;

李敬锋 ;

蔡博文 .

中国专利 :CN115521148A ,2022-12-27

[3]

稀土元素双掺纳米晶In2O3基热电陶瓷材料的制备方法 [P].

成波 ;

刘勇 ;

刘大博 .

中国专利 :CN102603270A ,2012-07-25

[4]

一种低温固相反应制备Mg2BIV基热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

柳伟 ;

鄢永高 ;

李涵 ;

杰弗里·夏普 .

中国专利 :CN101956110A ,2011-01-26

[5]

一种铜基氧化物热电材料的制备方法 [P].

赵立东 ;

刘姗 ;

张潇 ;

洪涛 .

中国专利 :CN114634358A ,2022-06-17

[6]

Ta掺杂的NbCoSn基热电材料及其制备方法 [P].

王晨阳 ;

王钦 ;

黄嘉勉 ;

骆军 .

中国专利 :CN114045425A ,2022-02-15

[7]

一种快速制备锑化镁基热电材料的新方法 [P].

苏贤礼 ;

郭金鑫 ;

唐新峰 .

中国专利 :CN109627002A ,2019-04-16

[8]

一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法 [P].

胡利鹏 ;

李想 ;

刘福生 .

中国专利 :CN113956042B ,2022-01-21

[9]

一种p型Zn4Sb3基热电材料及其制备方法 [P].

赵文俞 ;

程苏丹 ;

马兵 ;

张清杰 .

中国专利 :CN101857928A ,2010-10-13

[10]

一种Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料及其制备方法与应用 [P].

冯晶 ;

黄璐璐 ;

葛振华 ;

蒋业华 ;

郭俊 ;

师晓莉 .

中国专利 :CN109503147B ,2019-03-22

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