纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910098783.0

申请日：

2009-05-14

公开(公告)号：

CN101615461A

公开(公告)日：

2009-12-30

发明(设计)人：

严密崔熙贵马天宇罗伟

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市浙大路38号

IPC主分类号：

H01F1057

IPC分类号：

H01F108 B22F904 B22F316

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

张法高

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-30	公开	公开
2011-11-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101207917282 IPC(主分类):H01F 1/057 专利申请号:2009100987830 公开日:20091230

共 50 条

[1]

晶界相重构的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

严密 ;

崔熙贵 ;

周向志 .

中国专利 :CN101320609B ,2008-12-10

[2]

纳米铝粉晶界改性制备高矫顽力、高耐蚀性磁体方法 [P].

于濂清 ;

付殿岭 ;

韩治德 ;

燕友果 .

中国专利 :CN100517520C ,2008-05-14

[3]

高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

陈仁杰 ;

闫阿儒 ;

李东 ;

周巧英 ;

周龙捷 ;

A·威尔德 .

中国专利 :CN102456458A ,2012-05-16

[4]

晶界相重构的高强韧性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

严密 ;

周向志 ;

崔熙贵 ;

樊熊飞 .

中国专利 :CN101325109A ,2008-12-17

[5]

包含晶界扩散复合膜的烧结钕铁硼磁体及其制备方法、改性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

安小鑫 ;

石高阳 ;

刘小浪 ;

胡艺令 ;

郝忠彬 .

中国专利 :CN118675833A ,2024-09-20

[6]

一种高耐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法 [P].

张鹏杰 ;

张浩 ;

吴玉程 ;

陈静武 ;

庞亚俊 ;

衣晓飞 ;

黄秀莲 .

中国专利 :CN106782973A ,2017-05-31

[7]

一种高性能高耐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法 [P].

崔熙贵 ;

崔承云 ;

程晓农 ;

许晓静 .

中国专利 :CN103632833A ,2014-03-12

[8]

一种高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

邓兆怡 ;

湛领 ;

许梦学 .

中国专利 :CN115472417A ,2022-12-13

[9]

一种高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

周晓庆 ;

唐国才 ;

汪庆蓉 ;

罗书明 ;

梁书涵 ;

卢彬彬 ;

邬珊珊 ;

鲍金胜 .

中国专利 :CN118538527A ,2024-08-23

[10]

一种高耐蚀性烧结钕铁硼磁体的制备方法 [P].

王维 ;

陈平 ;

吴跃 ;

涂修鹏 .

中国专利 :CN108987019A ,2018-12-11

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