鲁米诺选择性检测传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200920311149.6

申请日：

2009-09-23

公开(公告)号：

CN201503400U

公开(公告)日：

2010-06-09

发明(设计)人：

王建江舟赵荣荣

申请人：

申请人地址：

350108 福建省福州市福州地区大学新区学园路2号

IPC主分类号：

G01N2176

IPC分类号：

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101083676676 IPC(主分类):G01N 21/76 专利号:ZL2009203111496 申请日:20090923 授权公告日:20100609 放弃生效日:20090923
2010-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

鲁米诺选择性检测传感器及其制备方法 [P].

王建 ;

江舟 ;

赵荣荣 .

中国专利 :CN101666753A ,2010-03-10

[2]

高选择性的氢气传感器 [P].

廖晓霞 ;

赵旭 .

中国专利 :CN207163964U ,2018-03-30

[3]

选择性传感器轮询 [P].

格拉瓦·布哈亚 ;

罗伯特·斯特茨 .

中国专利 :CN108513705B ,2018-09-07

[4]

选择性震动传感器 [P].

缪兴浩 .

中国专利 :CN2400786Y ,2000-10-11

[5]

选择性传感器轮询 [P].

格拉瓦·布哈亚 ;

罗伯特·斯特茨 .

美国专利 :CN112885349B ,2025-01-10

[6]

选择性传感器轮询 [P].

格拉瓦·布哈亚 ;

罗伯特·斯特茨 .

中国专利 :CN112885349A ,2021-06-01

[7]

离子选择性电极传感器结构 [P].

齐同 ;

梁丽娟 ;

赵建龙 .

中国专利 :CN215218656U ,2021-12-17

[8]

高选择性阵列MOS传感器 [P].

孙建海 ;

陈婷婷 ;

赵佩月 .

中国专利 :CN212540216U ,2021-02-12

[9]

用于选择性检测金属离子的光学传感器 [P].

K·N·顾 ;

M·Q·佘 ;

F·H·宾蒂·贾马鲁丁 .

:CN222800606U ,2025-04-25

[10]

选择性检测乙酸浓度的光纤传感器及检测方法 [P].

钟年丙 ;

肖忠渝 ;

刘洋 ;

苏平 ;

吴磊 ;

唐欢 ;

张国庆 ;

赖东 ;

付菲 ;

高歌 .

中国专利 :CN120028254A ,2025-05-23

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