磁阻效应器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811479123.2

申请日：

2018-12-05

公开(公告)号：

CN110034230B

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

海津明政出川直通六本木哲也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10N5080

IPC分类号：

H10N5010 H01F1032

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

杨琦;徐飞跃

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/02 申请日:20181205
2019-07-19	公开	公开
2023-01-10	授权	授权

共 50 条

[1]

磁阻效应器件 [P].

山根健量 ;

柴田哲也 ;

占部顺一郎 ;

志村淳 .

中国专利 :CN107104181B ,2017-08-29

[2]

磁阻效应器件 [P].

柴田哲也 ;

占部顺一郎 ;

志村淳 ;

山根健量 .

中国专利 :CN106559039A ,2017-04-05

[3]

磁阻效应器件 [P].

佐佐木智生 .

中国专利 :CN107887503A ,2018-04-06

[4]

磁阻效应器件 [P].

牧野健三 .

中国专利 :CN110299447A ,2019-10-01

[5]

磁阻效应器件及高频器件 [P].

山根健量 .

中国专利 :CN109473545A ,2019-03-15

[6]

磁阻效应器件,磁阻头及制造磁阻效应器件的方法 [P].

川分康博 ;

里见三男 ;

杉田康成 ;

榊间博 .

中国专利 :CN1235338A ,1999-11-17

[7]

磁阻效应元件及磁阻效应器件 [P].

深谷直人 ;

早川纯 .

中国专利 :CN114175290A ,2022-03-11

[8]

磁阻效应器件及高频器件 [P].

山根健量 ;

占部顺一郎 ;

铃木健司 ;

志村淳 .

中国专利 :CN108807663A ,2018-11-13

[9]

磁阻效应器件以及高频器件 [P].

出川直通 ;

山根健量 .

中国专利 :CN109390464A ,2019-02-26

[10]

磁阻效应器件及传感器 [P].

出川直通 ;

柴田哲也 .

中国专利 :CN113497182A ,2021-10-12

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