半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280023592.8

申请日：

2012-03-19

公开(公告)号：

CN103534791A

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

门野武栗田一成

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21322

IPC分类号：

H01L2120 H01L21265 H01L27146

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;王忠忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	授权	授权
2014-01-22	公开	公开
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573737460 IPC(主分类):H01L 21/322 专利申请号:2012800235928 申请日:20120319

共 50 条

[1]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104781919A ,2015-07-15

[2]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法 [P].

奥山亮辅 .

中国专利 :CN105814671B ,2016-07-27

[3]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104823269A ,2015-08-05

[4]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104781918A ,2015-07-15

[5]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法 [P].

奥山亮辅 .

中国专利 :CN107452603A ,2017-12-08

[6]

半导体外延晶片的制造方法及固体摄像元件的制造方法 [P].

广濑谅 ;

奥山亮辅 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN107431018A ,2017-12-01

[7]

半导体外延晶片的制造方法以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN108496239A ,2018-09-04

[8]

半导体外延晶片的制造方法 [P].

广濑谅 .

中国专利 :CN110223907A ,2019-09-10

[9]

半导体外延晶片及其制造方法、以及固体摄像元件的制造方法 [P].

奥山亮辅 .

中国专利 :CN111108583A ,2020-05-05

[10]

半导体外延晶片及其制造方法 [P].

铃木阳洋 ;

门野武 ;

广濑谅 .

日本专利 :CN113454756B ,2024-03-15

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