一种可控硅、肖特基二极管元器件引脚成型工装台

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202020310597.0
申请日
2020-03-13
公开(公告)号
CN212733908U
公开(公告)日
2021-03-19
发明(设计)人
刘向
申请人
申请人地址
239000 安徽省滁州市琅琊区杭州北路509号
IPC主分类号
B21F100
IPC分类号
H01L2148
代理机构
合肥兴东知识产权代理有限公司 34148
代理人
王伟
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
纳米硅肖特基二极管 [P]. 
何宇亮 ;
刘明 .
中国专利 :CN2443492Y ,2001-08-15
[2]
锗硅肖特基二极管 [P]. 
叶志镇 ;
吴贵斌 ;
赵星 ;
刘国军 .
中国专利 :CN2826699Y ,2006-10-11
[3]
一种肖特基二极管器件 [P]. 
梅冬 .
中国专利 :CN204558473U ,2015-08-12
[4]
一种电子二极管元器件引脚折弯成型设备 [P]. 
张言龙 ;
崔宁 .
中国专利 :CN118699221B ,2024-11-29
[5]
一种电子二极管元器件引脚折弯成型设备 [P]. 
张言龙 ;
崔宁 .
中国专利 :CN118699221A ,2024-09-27
[6]
肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法 [P]. 
杨红姣 ;
邓俊 ;
汪洋 ;
陈浩天 ;
周峰峰 ;
刘威 .
中国专利 :CN119208322B ,2025-10-17
[7]
一种锗硅肖特基二极管 [P]. 
叶志镇 ;
吴贵斌 ;
唐九耀 ;
赵星 ;
刘国军 .
中国专利 :CN2826698Y ,2006-10-11
[8]
肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法 [P]. 
杨红姣 ;
邓俊 ;
汪洋 ;
陈浩天 ;
周峰峰 ;
刘威 .
中国专利 :CN119208322A ,2024-12-27
[9]
纳米硅肖特基二极管 [P]. 
王树娟 ;
何宇亮 .
中国专利 :CN101290949A ,2008-10-22
[10]
高压肖特基二极管器件 [P]. 
杨新杰 .
中国专利 :CN105161546A ,2015-12-16