MOS晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110209589.2

申请日：

2011-07-25

公开(公告)号：

CN102903635A

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	授权	授权
2013-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101409721047 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011102095892 申请日:20110725
2013-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102903636A ,2013-01-30

[2]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101752253B ,2010-06-23

[3]

功率MOS晶体管的制造方法 [P].

刘宪周 ;

克里斯蒂安·皮尔森 .

中国专利 :CN101567338A ,2009-10-28

[4]

功率MOS晶体管的制造方法 [P].

刘宪周 ;

克里斯蒂安·皮尔森 .

中国专利 :CN101567320B ,2009-10-28

[5]

MOS晶体管以及制造MOS晶体管的方法 [P].

斯蒂芬·约·塞西尔·亨利·特厄乌文 ;

约翰内斯·阿德里安努斯·马里亚·德博特 ;

约斯·克拉佩 .

中国专利 :CN101326643B ,2008-12-17

[6]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29

[7]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN100435353C ,2004-04-28

[8]

MOS晶体管的制造方法 [P].

吴苑 ;

徐云 .

中国专利 :CN109817528A ,2019-05-28

[9]

MOS晶体管的制造方法 [P].

陈品翰 .

中国专利 :CN109473357B ,2019-03-15

[10]

一种MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102693915A ,2012-09-26

← 1 2 3 4 5 →