快恢复二极管及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011471302.9
申请日
2020-12-14
公开(公告)号
CN112687749A
公开(公告)日
2021-04-20
发明(设计)人
刘鹏飞 覃荣震 王梦洁 朱利恒 丁杰
申请人
申请人地址
412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
IPC主分类号
H01L29868
IPC分类号
H01L2906 H01L21329
代理机构
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
吴大建;金淼
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
快恢复二极管及其制作方法 [P]. 
徐涛 .
中国专利 :CN119008402A ,2024-11-22
[2]
快恢复二极管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054198B ,2018-05-18
[3]
快恢复二极管及其制作方法 [P]. 
祁金伟 ;
张耀辉 ;
卢烁今 .
中国专利 :CN115132849A ,2022-09-30
[4]
快恢复二极管及其制作方法 [P]. 
戴银 ;
任文珍 .
中国专利 :CN119997523A ,2025-05-13
[5]
快恢复二极管及其制作方法 [P]. 
张镜华 ;
魏国栋 ;
陈璐 .
中国专利 :CN120343928A ,2025-07-18
[6]
快恢复二极管及其制作方法 [P]. 
熊志军 .
中国专利 :CN117766589A ,2024-03-26
[7]
快恢复二极管及其制备方法 [P]. 
李伟聪 ;
伍济 .
中国专利 :CN115312581A ,2022-11-08
[8]
快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法 [P]. 
义夫 .
中国专利 :CN104269445B ,2015-01-07
[9]
快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法 [P]. 
义夫 .
中国专利 :CN104269444B ,2015-01-07
[10]
快恢复二极管器件及其制作方法 [P]. 
黄郭铖 ;
林茂 ;
戚丽娜 ;
俞义长 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN117855290A ,2024-04-09