一种高容量稳定性好的硅碳负极材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011193645.3
申请日
2020-10-30
公开(公告)号
CN112467098A
公开(公告)日
2021-03-09
发明(设计)人
马仁良 曹勇 王义飞 苏峰 董骄 项胜
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市新站区岱河路599号
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
H01M448 H01M462 H01M100525
代理机构
合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119
代理人
干桂花
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
高容量硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
崔立峰 ;
周立 ;
王辉 ;
杨克涛 .
中国专利 :CN103000901A ,2013-03-27
[2]
一种高容量高稳定性硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
葛传长 ;
仰永军 .
中国专利 :CN112786886A ,2021-05-11
[3]
一种高容量高稳定性硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
宋江选 ;
梁晨 ;
冯杨阳 .
中国专利 :CN109411714B ,2019-03-01
[4]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
万文文 ;
姜福阳 ;
张君 ;
洪峰 ;
刘浩然 ;
王辉 .
中国专利 :CN118919688A ,2024-11-08
[5]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
万文文 ;
姜福阳 ;
张君 ;
洪峰 ;
刘浩然 ;
王辉 .
中国专利 :CN118919688B ,2025-11-28
[6]
一种碳硅负极材料及其制备方法 [P]. 
危广路 ;
慈立杰 ;
钟招汉 ;
贾亚龙 ;
王预 ;
李德平 .
中国专利 :CN121035176A ,2025-11-28
[7]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
张君 ;
万文文 ;
王辉 .
中国专利 :CN119263253A ,2025-01-07
[8]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
李胜 ;
王港 ;
赖桂棠 ;
方斌 ;
黄世强 ;
曹恩德 ;
毛苗苗 ;
刘罗 .
中国专利 :CN119133393A ,2024-12-13
[9]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
段锐 ;
王辉 ;
万文文 ;
赵鹏 ;
周惠 .
中国专利 :CN119994016A ,2025-05-13
[10]
一种高稳定性高容量锂离子电池用新型硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
黄富强 ;
张慧敏 .
中国专利 :CN115706228A ,2023-02-17