一种制备GaN纳米线的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010206636.3
申请日
2010-06-23
公开(公告)号
CN101863458A
公开(公告)日
2010-10-20
发明(设计)人
李恩玲 戴元滨 朱红 侯利平 王喜强
申请人
申请人地址
710048 陕西省西安市金花南路5号
IPC主分类号
C01B2106
IPC分类号
B82B300
代理机构
西安弘理专利事务所 61214
代理人
罗笛
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P]. 
刘志强 ;
闫岩 ;
张硕 ;
伊晓燕 ;
王军喜 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN115369379A ,2022-11-22
[2]
GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P]. 
刘志强 ;
闫岩 ;
张硕 ;
伊晓燕 ;
王军喜 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN115369379B ,2024-05-03
[3]
制备笋形GaN纳米线的方法 [P]. 
李恩玲 ;
宋莎 ;
马德明 .
中国专利 :CN103641081B ,2014-03-19
[4]
一种MPCVD制备GaN纳米线的方法 [P]. 
王如志 ;
姬宇航 ;
李瑞 ;
严辉 ;
张铭 ;
王波 ;
宋雪梅 .
中国专利 :CN107699863B ,2018-02-16
[5]
一种GaN纳米线及其制备方法 [P]. 
张佰君 ;
陈伟杰 ;
林佳利 .
中国专利 :CN104766910B ,2015-07-08
[6]
一种单晶GaN纳米线及其制备方法 [P]. 
王幸福 ;
姜健 ;
董建奇 .
中国专利 :CN110067022A ,2019-07-30
[7]
一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法 [P]. 
康云龙 ;
王现英 .
中国专利 :CN108394857A ,2018-08-14
[8]
一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法 [P]. 
王如志 ;
杨孟骐 ;
梁琦 ;
严辉 ;
张铭 ;
王波 ;
王长昊 .
中国专利 :CN111206236B ,2020-05-29
[9]
一种大规模GaN纳米线阵列的制备方法 [P]. 
王现英 ;
康云龙 ;
王丁 ;
杨俊和 .
中国专利 :CN108441943A ,2018-08-24
[10]
在衬底上制备GaN纳米线的方法 [P]. 
刘志强 ;
伍绍腾 ;
伊晓燕 ;
黄洋 ;
程成 ;
王蕴玉 ;
綦成林 .
中国专利 :CN107910243A ,2018-04-13