一种高压带隙基准电路结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201720826786.1
申请日
2017-07-10
公开(公告)号
CN207557804U
公开(公告)日
2018-06-29
发明(设计)人
陈然斌 李育超
申请人
申请人地址
350001 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D单元
IPC主分类号
G05F326
IPC分类号
代理机构
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219
代理人
林祥翔;吕元辉
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高压带隙基准电路结构 [P]. 
陈然斌 ;
李育超 .
中国专利 :CN107272818A ,2017-10-20
[2]
一种高压带隙基准电路 [P]. 
张荣晶 ;
杨丰 ;
苟超 ;
雷旭 ;
张青 ;
仲舒曼 .
中国专利 :CN221726439U ,2024-09-17
[3]
一种高压带隙基准电路 [P]. 
张荣晶 ;
杨丰 ;
苟超 ;
雷旭 ;
张青 ;
仲舒曼 .
中国专利 :CN117784876A ,2024-03-29
[4]
高压带隙基准及其启动电路 [P]. 
肖国庆 ;
李茂登 .
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[5]
一种曲率补偿高压带隙基准电路 [P]. 
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邱雷 ;
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[6]
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[7]
一种低压带隙基准电路 [P]. 
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[8]
一种负压带隙基准电路 [P]. 
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中国专利 :CN120523277B ,2025-09-26
[9]
一种负压带隙基准电路 [P]. 
李文鸽 ;
封鲁平 ;
范平 ;
尹立勇 .
中国专利 :CN120523277A ,2025-08-22
[10]
一种低压带隙基准电路 [P]. 
宋宇 ;
陈立新 ;
熊海峰 .
中国专利 :CN115016583B ,2024-03-08