具有高雪崩耐量的碳化硅肖特基二极管器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910829536.7

申请日：

2019-09-03

公开(公告)号：

CN110600533A

公开(公告)日：

2019-12-20

发明(设计)人：

温正欣叶怀宇张国旗

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区学苑大道1088号南方科技大学台州楼一楼

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29872 H01L21329

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226

代理人：

李明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190903
2019-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅肖特基二极管的制造方法 [P].

松野吉德 ;

大塚健一 ;

油谷直毅 ;

黑田研一 ;

渡边宽 ;

鹿间省三 .

中国专利 :CN102396069B ,2012-03-28

[2]

碳化硅肖特基二极管 [P].

甘新慧 ;

蒋正勇 ;

朱家从 ;

计建新 ;

盛况 ;

郭清 .

中国专利 :CN111628008A ,2020-09-04

[3]

碳化硅肖特基二极管 [P].

刘圣前 ;

杨程 ;

王毅 .

中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16

[4]

碳化硅肖特基二极管 [P].

S·迪米特里杰夫 ;

J·韩 .

中国专利 :CN110291646A ,2019-09-27

[5]

高耐压碳化硅肖特基二极管 [P].

宋亚东 .

中国专利 :CN213692015U ,2021-07-13

[6]

一种碳化硅肖特基二极管器件 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN222954304U ,2025-06-06

[7]

新型碳化硅肖特基二极管 [P].

盛况 ;

郭清 ;

邓永辉 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN102569421B ,2012-07-11

[8]

碳化硅肖特基二极管及其制造方法 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192825A ,2020-05-22

[9]

新型碳化硅肖特基二极管 [P].

盛况 ;

郭清 ;

邓永辉 ;

崔京京 ;

周伟成 .

中国专利 :CN202009004U ,2011-10-12

[10]

碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管 [P].

崔玉兴 ;

刘佳佳 ;

付兴中 ;

王川宝 ;

胡多凯 .

中国专利 :CN109326523A ,2019-02-12

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