氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管

被引：0

申请号：

CN202210470509.7

申请日：

2022-04-28

公开(公告)号：

CN114743874A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

王元刚敦少博吕元杰韩婷婷卜爱民许靖冯志红

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

刘少卿

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	公开	公开
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20220428

共 50 条

[1]

氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P].

王元刚 ;

敦少博 ;

吕元杰 ;

韩婷婷 ;

卜爱民 ;

许靖 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743874B ,2025-11-21

[2]

氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P].

王元刚 ;

吕元杰 ;

敦少博 ;

卜爱民 ;

韩婷婷 ;

刘宏宇 ;

冯志红 .

中国专利 :CN115083921A ,2022-09-20

[3]

氮化镓肖特基二极管 [P].

江守权 .

中国专利 :CN212136453U ,2020-12-11

[4]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353A ,2020-12-15

[5]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353B ,2024-10-01

[6]

氧化镓肖特基二极管及其制备方法 [P].

吕元杰 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

刘宏宇 ;

宋旭波 ;

梁士雄 ;

徐森锋 ;

付兴昌 ;

冯志红 .

中国专利 :CN111192926B ,2020-05-22

[7]

氧化镓肖特基二极管及其制备方法 [P].

徐光伟 ;

李秋艳 ;

郝伟兵 ;

向学强 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN117995910A ,2024-05-07

[8]

氮化镓肖特基二极管 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 .

中国专利 :CN212542440U ,2021-02-12

[9]

氮化镓肖特基二极管 [P].

刘丹 .

中国专利 :CN114864656A ,2022-08-05

[10]

一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法 [P].

刘宁涛 ;

张文瑞 ;

叶继春 .

中国专利 :CN117877977A ,2024-04-12

← 1 2 3 4 5 →