一种螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510353880.5

申请日：

2015-06-25

公开(公告)号：

CN105040096B

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

简基康程章勇郭洁

申请人：

申请人地址：

510090 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

C30B2500

IPC分类号：

C30B2940 C30B2962 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

广州市南锋专利事务所有限公司 44228

代理人：

刘媖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	公开	公开
2015-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101636480385 IPC(主分类):C30B 25/00 专利申请号:2015103538805 申请日:20150625
2018-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法 [P].

简基康 ;

程章勇 .

中国专利 :CN104894531A ,2015-09-09

[2]

稀土元素Ce掺杂GaN纳米线的制备方法 [P].

简基康 ;

郭洁 .

中国专利 :CN104828791A ,2015-08-12

[3]

一种单晶GaN纳米线及其制备方法 [P].

王幸福 ;

姜健 ;

董建奇 .

中国专利 :CN110067022A ,2019-07-30

[4]

一种rGO膜/GaN纳米线复合电极及其制备方法 [P].

王严杰 ;

孙长龙 ;

唐校福 ;

刘丹 .

中国专利 :CN110571419B ,2019-12-13

[5]

CoPi负载的枝状(GaN)<sub>1-x</sub>(ZnO)<sub>x</sub>-GaN纳米线阵列光阳极及制备方法 [P].

刘宝丹 ;

陈立新 ;

李晶 .

中国专利 :CN115710716B ,2025-01-03

[6]

一种GaN纳米线及其制备方法 [P].

张佰君 ;

陈伟杰 ;

林佳利 .

中国专利 :CN104766910B ,2015-07-08

[7]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379A ,2022-11-22

[8]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379B ,2024-05-03

[9]

螺旋状铂基多元金属纳米线及其制备方法和应用 [P].

谢水奋 ;

陈孝为 .

中国专利 :CN112692299A ,2021-04-23

[10]

一种单晶Ge-Sn-Te纳米线的制备方法 [P].

张杰 ;

刘玉申 ;

杨希峰 ;

洪学鹍 ;

邵振广 .

中国专利 :CN112593284A ,2021-04-02

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