单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型

被引：0

申请号：

CN202211410685.8

申请日：

2022-11-11

公开(公告)号：

CN115659770A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

李兴冀刘中利崔秀海吕钢

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G06F3025

IPC分类号：

G06F11902

代理机构：

北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473

代理人：

鲍丽伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/25 申请日:20221111

共 50 条

[1]

仿真模型构建方法及系统 [P].

邵财盛 ;

唐浩天 ;

孔航飞 ;

田绍春 ;

杨竹 ;

王仁杰 .

中国专利 :CN120277926B ,2025-09-05

[2]

仿真模型构建方法及系统 [P].

邵财盛 ;

唐浩天 ;

孔航飞 ;

田绍春 ;

杨竹 ;

王仁杰 .

中国专利 :CN120277926A ,2025-07-08

[3]

一种仿真模型框架构建方法、仿真模型框架及仿真系统 [P].

张翼 ;

张鹏 ;

李智 ;

陈维高 ;

尹灿斌 ;

宋旭民 .

中国专利 :CN109814846A ,2019-05-28

[4]

仿真模型构建方法、仿真计算方法、系统、设备及介质 [P].

彭逸轩 ;

高路 ;

寇龙泽 ;

鲍伟 ;

秦钦 ;

谢敏华 ;

唐海军 .

中国专利 :CN119990026A ,2025-05-13

[5]

电镀仿真模型构建及仿真方法、装置、处理器及存储介质 [P].

祝经明 ;

王彤 ;

刘宏 ;

任长友 ;

郭可升 ;

邓川 .

中国专利 :CN118504367B ,2024-11-05

[6]

电镀仿真模型构建及仿真方法、装置、处理器及存储介质 [P].

祝经明 ;

王彤 ;

刘宏 ;

任长友 ;

郭可升 ;

邓川 .

中国专利 :CN118504367A ,2024-08-16

[7]

模态分析仿真模型构建方法及装置 [P].

王卫东 .

中国专利 :CN114117714A ,2022-03-01

[8]

高精度SiC MOSFET双脉冲仿真模型及模型构建方法 [P].

于泓 ;

简方恒 ;

王长久 ;

黄家杰 ;

姜盼 ;

干兴业 ;

乔金鑫 ;

刘宜罡 ;

龚琦 ;

范宇杰 .

中国专利 :CN118839649A ,2024-10-25

[9]

岩心尺度的仿真模型构建方法 [P].

计秉玉 ;

聂俊 ;

吕成远 ;

王友启 ;

何应付 ;

于洪敏 .

中国专利 :CN108875096A ,2018-11-23

[10]

基于粒子群优化的仿真模型构建方法、装置、设备及介质 [P].

郝盼东 ;

刘亮 ;

李莉 ;

刘巧稚 ;

赵瑞娟 ;

曾建令 .

中国专利 :CN119476049A ,2025-02-18

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