具有变化的单位面积栅极流道电阻率的晶体管器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011109461.4

申请日：

2020-10-16

公开(公告)号：

CN112687686A

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

T·艾兴格 W·博尔格纳 R·西米尼克 F·沃尔特

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L2916

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;陈岚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20201016
2021-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

具有低电阻率碳合金的晶体管 [P].

陆叶 ;

鲍军静 ;

杨斌 ;

戈立新 ;

岳云 .

中国专利 :CN110663116A ,2020-01-07

[2]

晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法 [P].

I·诺伊曼 ;

M·胡茨勒 ;

D·拉福雷特 ;

R·莫尼希 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113224146A ,2021-08-06

[3]

具有栅极电阻器的晶体管 [P].

D.拉福雷特 ;

O.布兰克 ;

C.A.布拉茨 ;

G.内鲍尔 ;

C.乌夫拉尔德 .

中国专利 :CN110197827A ,2019-09-03

[4]

具有栅极电阻器的晶体管 [P].

D.拉福雷特 ;

O.布兰克 ;

C.A.布拉茨 ;

G.内鲍尔 ;

C.乌夫拉尔德 .

:CN110197827B ,2024-07-02

[5]

具有集成栅极-电阻器的功率MOS晶体管 [P].

S·福斯 ;

P·蒂尔克斯 ;

H·许斯肯 .

中国专利 :CN104347713A ,2015-02-11

[6]

具有栅极底部隔离的晶体管器件及其制造方法 [P].

S.塔卡基 .

中国专利 :CN105874579B ,2016-08-17

[7]

晶体管器件和制备晶体管器件的方法 [P].

O·布兰克 ;

C·A·布拉兹 ;

高琰 ;

O·吉勒曼特 ;

F·希尔勒 ;

D·拉福雷特 ;

P·拉格 ;

C·欧瓦拉德 ;

E·普瑞 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN115023815A ,2022-09-06

[8]

具有沉积栅极介电层的场效应晶体管 [P].

F·赫伯特 ;

J·A·库珀 ;

H·L·R·马迪 .

美国专利 :CN118553780A ,2024-08-27

[9]

晶体管器件以及用于生产晶体管器件的方法 [P].

C·伦德茨 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN115706114A ,2023-02-17

[10]

晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法 [P].

R.魏斯 .

中国专利 :CN103730504A ,2014-04-16

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