一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610042896.5

申请日：

2006-05-26

公开(公告)号：

CN101077791A

公开(公告)日：

2007-11-28

发明(设计)人：

陈建敏陈磊周惠娣万宏启

申请人：

申请人地址：

730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号

IPC主分类号：

C01G312

IPC分类号：

代理机构：

兰州中科华西专利代理有限公司

代理人：

方晓佳

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-28	公开	公开
2009-12-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

硫化铜纳米颗粒的制备方法 [P].

王晓波 ;

刘维民 .

中国专利 :CN1986420A ,2007-06-27

[2]

一种硫化铜半导体纳米材料、制备方法及其应用 [P].

张小俊 ;

李晓敏 .

中国专利 :CN107758725A ,2018-03-06

[3]

一种纳米硫化铜的制备方法 [P].

单晓茜 ;

秦玉杰 ;

韩宇 ;

靳行 ;

高颖 .

中国专利 :CN110015679A ,2019-07-16

[4]

硫化银半导体纳米颗粒的制备方法 [P].

刘维民 ;

王晓波 ;

付兴国 ;

徐滨士 .

中国专利 :CN100465098C ,2005-12-21

[5]

硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法 [P].

王晓波 ;

刘维民 .

中国专利 :CN100417754C ,2007-06-27

[6]

一种硫化铜纳米材料的制备方法 [P].

舒群威 .

中国专利 :CN112279293A ,2021-01-29

[7]

一种硫化铜纳米花的制备方法 [P].

孔春才 ;

杨志懋 ;

于志鹏 ;

王书蓓 .

中国专利 :CN110395759A ,2019-11-01

[8]

一种块状纳米硫化铜的制备方法 [P].

单晓茜 ;

高颖 ;

周勇 ;

邓飞凡 .

中国专利 :CN112142090A ,2020-12-29

[9]

硫化铜纳米片阵列的制备方法 [P].

王兆明 ;

吴兵 ;

朱晓光 ;

许伟 ;

肖志远 .

中国专利 :CN108383148A ,2018-08-10

[10]

一种纳米硫化铜的制备方法 [P].

刘明焕 ;

施伟章 ;

杨大鹏 ;

焦福星 .

中国专利 :CN112062149A ,2020-12-11

← 1 2 3 4 5 →