低温合成二氧化硅

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180036453.4

申请日：

2011-06-08

公开(公告)号：

CN103025915A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

J·艾森贝格 B·哈顿

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C1654 C23C16455

代理机构：

北京万慧达知识产权代理有限公司 11111

代理人：

戈晓美;杨颖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2015-08-05	授权	授权
2021-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20110608 授权公告日:20150805 终止日期:20200608
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486921839 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2011800364534 申请日:20110608

共 50 条

[1]

二氧化硅合成 [P].

西德哈里森·维杰·帕沃德汗 ;

约瑟夫·理查德·亨利·曼宁 .

中国专利 :CN108290746A ,2018-07-17

[2]

二氧化硅多孔体的制造方法 [P].

金子由利子 ;

岩本卓也 ;

寒川潮 ;

桥本雅彦 ;

美浓规央 .

中国专利 :CN103384643A ,2013-11-06

[3]

低温原子层沉积二氧化硅 [P].

梅特伊·马哈贾尼 ;

黄宜乔 ;

布伦登·麦克杜格尔 .

中国专利 :CN101182633A ,2008-05-21

[4]

多孔二氧化硅 [P].

张士福 ;

杨运信 ;

张丽斌 ;

宋朝红 ;

姚喆 ;

查晓钟 ;

秦群英 .

中国专利 :CN101885488B ,2010-11-17

[5]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN100445336C ,2005-10-05

[6]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 ;

P·布克尔 ;

A·希勒 .

中国专利 :CN103435056A ,2013-12-11

[7]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 .

中国专利 :CN101679771B ,2010-03-24

[8]

二氧化硅 [P].

P·W·斯坦尼尔 .

中国专利 :CN101330897B ,2008-12-24

[9]

二氧化硅 [P].

A·阿尔克罗夫特 ;

P·W·施坦尼埃 .

中国专利 :CN1088546A ,1994-06-29

[10]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN1678696A ,2005-10-05

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