部分放电传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280070045.5

申请日：

2012-02-21

公开(公告)号：

CN104115355B

公开(公告)日：

2014-10-22

发明(设计)人：

深沢彻伊藤隆史宫下裕章

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H02G506

IPC分类号：

G01R3112 H01Q138 H01Q940 H02B1302

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

崔成哲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权
2014-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588954406 IPC(主分类):H02G 5/06 专利申请号:2012800700455 申请日:20120221
2014-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

部分放电传感器测定运算方法以及部分放电传感器测定运算装置 [P].

深泽徹 ;

伊藤隆史 ;

宫下裕章 .

中国专利 :CN104981707B ,2015-10-14

[2]

局部放电传感器 [P].

柳崇 ;

深泽徹 ;

吉田晓 ;

伊藤隆史 .

中国专利 :CN105593693A ,2016-05-18

[3]

单芯电缆局部放电传感器及局部放电传感器阵列 [P].

陈金锋 ;

韦盈释 ;

皮昊书 ;

时亨通 ;

马楠 ;

陈子涵 ;

吴中 ;

宋书生 ;

周伟文 ;

杜浩 ;

夏金凯 .

中国专利 :CN109725242A ,2019-05-07

[4]

单芯电缆局部放电传感器及局部放电传感器阵列 [P].

陈金锋 ;

韦盈释 ;

皮昊书 ;

时亨通 ;

马楠 ;

陈子涵 ;

吴中 ;

宋书生 ;

周伟文 ;

杜浩 ;

夏金凯 .

中国专利 :CN109725242B ,2024-06-25

[5]

单芯电缆局部放电传感器及局部放电传感器阵列 [P].

韦盈释 ;

陈金锋 ;

皮昊书 ;

陈子涵 ;

吴中 ;

宋书生 ;

周伟文 ;

杜浩 ;

夏金凯 .

中国专利 :CN210038031U ,2020-02-07

[6]

用于特高频局部放电传感器的信号耦合天线及传感器 [P].

钱勇 ;

王辉 ;

舒博 ;

臧奕茗 ;

李喆 ;

江秀臣 .

中国专利 :CN211043557U ,2020-07-17

[7]

机载放电传感器 [P].

熊彪 .

中国专利 :CN115015706A ,2022-09-06

[8]

局部放电传感器 [P].

柳崇 ;

深泽徹 ;

伊藤隆史 .

中国专利 :CN106104287B ,2016-11-09

[9]

局部放电传感器 [P].

深泽彻 ;

宫下裕章 ;

伊藤隆史 .

中国专利 :CN103250064A ,2013-08-14

[10]

局部放电传感器 [P].

李洪杰 ;

颜源 ;

金磊 ;

夏欣 ;

韩强 .

中国专利 :CN309161838S ,2025-03-11

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