一种四氧化三钴/二氧化锰/聚吡咯纳米线阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710718859.X

申请日：

2017-08-21

公开(公告)号：

CN107481866A

公开(公告)日：

2017-12-15

发明(设计)人：

俎喜红李杰熹曾艳娴易国斌黄嘉辉熊伟光张安可李伟钊

申请人：

申请人地址：

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

IPC主分类号：

H01G1124

IPC分类号：

H01G1126 H01G1130 H01G1146 H01G1148 H01G1186 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王洋;赵青朵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 11/24 申请日:20170821
2020-07-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 11/24 申请公布日:20171215
2017-12-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二氧化锰/氧化锰/四氧化三钴/碳复合材料及其制备方法 [P].

徐旭耀 ;

陈芳 ;

范旭良 ;

刘光泳 ;

孔令利 ;

黄丽娟 ;

胡忆蓉 ;

欧俊文 ;

袁斌斌 ;

黄韵娜 .

中国专利 :CN111268737A ,2020-06-12

[2]

一种聚吡咯-二氧化锰复合电极材料及其制备方法 [P].

谭强强 ;

陈赟 ;

徐宇兴 ;

邱琳琳 .

中国专利 :CN102295776A ,2011-12-28

[3]

钛基底上二氧化锰纳米线阵列电极及其制备方法 [P].

刘金平 ;

郭峻岭 .

中国专利 :CN103896208A ,2014-07-02

[4]

二氧化锰@二氧化锰亚微米球及其制备方法 [P].

付永胜 ;

高翔宇 ;

汪信 ;

查道松 ;

彭长青 .

中国专利 :CN107799317A ,2018-03-13

[5]

一种二氧化锰纳米线的制备方法 [P].

潘栋宇 ;

侯梅芳 ;

刘超男 ;

周建 ;

杜三艳 .

中国专利 :CN105502504A ,2016-04-20

[6]

碳材料负载二氧化锰纳米线阵列复合材料及其制备方法 [P].

李新禄 ;

宋宏芳 ;

李鸿乂 ;

黄佳木 ;

王皓 ;

张勇来 ;

张静 ;

徐敏 ;

江欢 ;

张育新 .

中国专利 :CN102568855B ,2012-07-11

[7]

石墨烯/聚吡咯/二氧化锰三元复合电极材料的制备方法 [P].

樊新 ;

刘铮 ;

夏阳阳 ;

韦春香 .

中国专利 :CN105070527A ,2015-11-18

[8]

一种α-二氧化锰纳米线的可控制备方法 [P].

胡秀兰 ;

朱寿凤 .

中国专利 :CN104628039B ,2015-05-20

[9]

一种聚吡咯二氧化锰空心纳米球的制备方法 [P].

范淑玲 ;

叶方敏 ;

江永明 .

中国专利 :CN116675255B ,2025-08-12

[10]

一种超长二氧化锰纳米线的制备方法 [P].

余林 ;

蓝邦 ;

林婷 ;

孙明 ;

叶飞 ;

程高 ;

成晓玲 .

中国专利 :CN103193273B ,2013-07-10

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