一种低比导通电阻的功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010125476.3

申请日：

2020-02-27

公开(公告)号：

CN111312707A

公开(公告)日：

2020-06-19

发明(设计)人：

乔明梁龙飞吕怡蕾齐钊张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L29772

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20200227
2020-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低导通电阻功率半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

戴志刚 ;

吴其祥 ;

叶然 ;

徐志远 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107910357A ,2018-04-13

[2]

一种降低导通电阻的功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN206976352U ,2018-02-06

[3]

低导通电阻MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN216698364U ,2022-06-07

[4]

一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

李婷 ;

魏家行 ;

李智超 ;

方炅 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN108231898B ,2018-06-29

[5]

低导通电阻沟槽型功率半导体器件的制备方法 [P].

胡盖 ;

夏华秋 ;

夏华忠 ;

黄传伟 ;

李健 ;

诸建周 .

中国专利 :CN112838010A ,2021-05-25

[6]

低导通电阻半导体功率器件及其制备方法 [P].

李科 ;

杨同同 ;

苟学鑫 ;

张文鑫 ;

曹学文 ;

颜天才 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN118943006A ,2024-11-12

[7]

一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件 [P].

乔明 ;

章文通 ;

许琬 ;

李燕妃 ;

张昕 ;

吴文杰 ;

张波 .

中国专利 :CN103022134B ,2013-04-03

[8]

低导通电阻功率半导体组件 [P].

李柏贤 ;

杨国良 .

中国专利 :CN105702722B ,2016-06-22

[9]

一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法 [P].

乔明 ;

李燕妃 ;

周锌 ;

蔡林希 ;

许琬 ;

吴文杰 ;

张波 .

中国专利 :CN103280457B ,2013-09-04

[10]

一种低导通电阻的异质结半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

张弛 ;

肖魁 ;

孙贵鹏 ;

王德进 ;

魏家行 ;

卢丽 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 .

中国专利 :CN111354777A ,2020-06-30

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