非易失性存储单元及阵列

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200610127479.0
申请日
2006-09-15
公开(公告)号
CN101145575A
公开(公告)日
2008-03-19
发明(设计)人
颜子师
申请人
申请人地址
中国台湾台北市
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L27115 G11C1710 G11C2944
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
张波
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法 [P]. 
魏志强 ;
吕志超 .
中国专利 :CN113424318B ,2021-09-21
[2]
非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列 [P]. 
吕函庭 .
中国专利 :CN101546784A ,2009-09-30
[3]
非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列 [P]. 
吕函庭 ;
王嗣裕 .
中国专利 :CN1828944A ,2006-09-06
[4]
非易失性存储单元及其阵列 [P]. 
王知行 .
中国专利 :CN1716616A ,2006-01-04
[5]
非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列、以及其制造方法 [P]. 
魏志强 ;
高木刚 ;
饭岛光辉 .
中国专利 :CN102473707A ,2012-05-23
[6]
非易失性存储单元 [P]. 
G·特姆佩尔 .
中国专利 :CN1135628C ,1999-12-15
[7]
非易失性存储单元和制造非易失性存储单元的方法 [P]. 
F·霍夫曼 ;
M·施佩希特 ;
J·卢伊肯 .
中国专利 :CN1901232A ,2007-01-24
[8]
非易失性存储单元、这种存储单元的阵列及制造方法 [P]. 
S·基亚尼安 ;
A·莱维 .
中国专利 :CN1773728A ,2006-05-17
[9]
集成电路存储单元及非易失性存储单元 [P]. 
吕函庭 .
中国专利 :CN101604706A ,2009-12-16
[10]
具有横向耦合结构的非易失性存储单元、存储单元阵列 [P]. 
朴圣根 .
中国专利 :CN106783864B ,2017-05-31