一种3d打印SiC晶须增强C/SiC多孔陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910534269.0

申请日：

2019-06-05

公开(公告)号：

CN110204348A

公开(公告)日：

2019-09-06

发明(设计)人：

李斌斌毛帮笑黄海泉王兴邦贺韬

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市江宁区将军大道29号

IPC主分类号：

C04B3581

IPC分类号：

C04B3580 B33Y7000 B33Y5000 B33Y1000 C04B3800

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/81 申请日:20190605
2019-09-06	公开	公开
2021-11-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/81 申请公布日:20190906

共 50 条

[1]

一种晶须增强SiC多孔陶瓷材料及其制备方法 [P].

邢卫红 ;

仲兆祥 ;

韩峰 ;

张峰 ;

徐南平 .

中国专利 :CN104211422B ,2014-12-17

[2]

一种AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法 [P].

史国栋 ;

周文雅 ;

武湛君 ;

王亨利 ;

宋健 .

中国专利 :CN110550964A ,2019-12-10

[3]

多孔SiC陶瓷和多孔SiC陶瓷的低温制备方法 [P].

马斌 ;

陈奇 ;

高华波 .

中国专利 :CN115073205A ,2022-09-20

[4]

基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法 [P].

曾涛 ;

孙晓梅 .

中国专利 :CN107602130A ,2018-01-19

[5]

一种SiC晶须增强的陶瓷基复合板及其制备方法 [P].

陈照峰 ;

余盛杰 .

中国专利 :CN104119094B ,2014-10-29

[6]

一种SiC多孔陶瓷的制备方法 [P].

陈建军 ;

柳兆祥 ;

王明明 ;

廖欣 .

中国专利 :CN104072190A ,2014-10-01

[7]

一种SiC晶须的制备方法 [P].

陈旸 ;

乔宁 ;

郑占申 ;

李欣 ;

米越姗 .

中国专利 :CN109652857B ,2019-04-19

[8]

一种SiC晶须的制备方法 [P].

崔曦文 ;

柏杉 ;

洪艳萍 ;

闵庆峰 ;

蒋明学 .

中国专利 :CN102978706A ,2013-03-20

[9]

一种SiC晶须的制备方法 [P].

张锐 ;

范冰冰 ;

邵刚 ;

郭晓琴 ;

解亚军 ;

宋勃震 ;

管可可 ;

吴昊 ;

张亮 .

中国专利 :CN104328478A ,2015-02-04

[10]

一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须 [P].

张锐 ;

赵彪 ;

樊磊 ;

张瑜萍 ;

范冰冰 ;

高前程 ;

白中义 ;

陈雷明 ;

李春光 ;

郭晓琴 .

中国专利 :CN110387583A ,2019-10-29

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