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一种GaN基紫外探测器及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011284995.0
申请日
:
2020-11-17
公开(公告)号
:
CN112366250B
公开(公告)日
:
2021-02-12
发明(设计)人
:
崔永进
仇美懿
申请人
:
申请人地址
:
528200 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
IPC主分类号
:
H01L3118
IPC分类号
:
H01L310224
H01L310352
H01L3109
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
胡枫;李素兰
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-05
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20201117
2021-02-12
公开
公开
2022-11-15
授权
授权
共 50 条
[1]
一种GaN基紫外探测器及其制作方法
[P].
崔永进
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崔永进
;
仇美懿
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仇美懿
.
中国专利
:CN112366233A
,2021-02-12
[2]
平面GaN基紫外探测器及其制作方法
[P].
苏艳梅
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苏艳梅
;
种明
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种明
;
张冶金
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张冶金
;
孙捷
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孙捷
;
孙秀艳
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孙秀艳
.
中国专利
:CN110970525A
,2020-04-07
[3]
一种GaN基紫外探测器及其制作方法
[P].
崔永进
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崔永进
.
中国专利
:CN112366234A
,2021-02-12
[4]
GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法
[P].
颜廷静
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颜廷静
;
苏艳梅
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苏艳梅
;
王国东
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王国东
;
种明
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种明
.
中国专利
:CN101621066B
,2010-01-06
[5]
一种GaN基紫外探测器
[P].
崔永进
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崔永进
.
中国专利
:CN213988897U
,2021-08-17
[6]
一种紫外探测器及其制作方法
[P].
冯飞
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冯飞
;
林立伟
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林立伟
;
杨晨
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杨晨
;
王跃林
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王跃林
.
中国专利
:CN104810425A
,2015-07-29
[7]
一种紫外探测器及其制作方法
[P].
陈星
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陈星
;
刘可为
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刘可为
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李炳辉
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李炳辉
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张振中
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张振中
;
申德振
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申德振
.
中国专利
:CN107579127A
,2018-01-12
[8]
一种紫外探测器及其制作方法
[P].
陈星
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陈星
;
刘可为
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刘可为
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李炳辉
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李炳辉
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张振中
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张振中
;
申德振
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申德振
.
中国专利
:CN107579126B
,2018-01-12
[9]
一种氧化镓基紫外探测器及其制作方法
[P].
龙世兵
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龙世兵
;
覃愿
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覃愿
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董航
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董航
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何启鸣
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何启鸣
;
刘明
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刘明
.
中国专利
:CN108922931B
,2018-11-30
[10]
一种GaN基光电探测器及其制作方法
[P].
王巧
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
王巧
;
刘云州
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
刘云州
;
许平
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
许平
;
林丹
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
林丹
;
杨海铭
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广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
杨海铭
;
陈子豪
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
陈子豪
.
中国专利
:CN118248784A
,2024-06-25
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