铁电体存储装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610002458.6

申请日：

2006-01-26

公开(公告)号：

CN100570861C

公开(公告)日：

2006-10-18

发明(设计)人：

阿部一英

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L218239

IPC分类号：

H01L21316 H01L27105 G11C1122

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

岳耀锋

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101683453767 IPC(主分类):H01L 21/8239 专利号:ZL2006100024586 变更事项:专利权人变更前权利人:冲电气工业株式会社变更后权利人:OKI半导体株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京登记生效日:20131210
2014-01-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101683453768 IPC(主分类):H01L 21/8239 专利号:ZL2006100024586 变更事项:专利权人变更前:OKI半导体株式会社变更后:拉碧斯半导体株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2009-12-16	授权	授权
2006-10-18	公开	公开
2014-01-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101683453769 IPC(主分类):H01L 21/8239 专利号:ZL2006100024586 变更事项:专利权人变更前:拉碧斯半导体株式会社变更后:拉碧斯半导体株式会社变更前:日本东京变更后:日本横滨变更事项:地址
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8239 申请日:20060126 授权公告日:20091216 终止日期:20170126
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

铁电体存储装置及其制造方法 [P].

中村孝 .

中国专利 :CN1273696A ,2000-11-15

[2]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

金谷宏行 .

中国专利 :CN102881821A ,2013-01-16

[3]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

北川淳一 ;

尾崎成则 ;

寺本章伸 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN101032020A ,2007-09-05

[4]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

桥爪贵彦 ;

高桥信义 ;

吉田幸司 ;

高桥桂太 ;

栗原清志 ;

守山善也 .

中国专利 :CN1964052B ,2007-05-16

[5]

铁电体存储装置 [P].

平野博茂 .

中国专利 :CN1781191A ,2006-05-31

[6]

铁电体存储装置及其读出方法 [P].

山冈邦吏 ;

平野博茂 ;

五宝靖 ;

岩成俊一 ;

村久木康夫 ;

坂上雅彦 ;

中熊哲治 ;

三木隆 .

中国专利 :CN1700473A ,2005-11-23

[7]

铁电体存储装置及其读出方法 [P].

山冈邦吏 ;

平野博茂 ;

村久木康夫 .

中国专利 :CN1472745A ,2004-02-04

[8]

存储装置及其制造方法 [P].

野田光太郎 ;

岡嶋睦 .

中国专利 :CN107799546B ,2018-03-13

[9]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

北村政幸 .

日本专利 :CN112530905B ,2024-04-16

[10]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

新井秀幸 ;

中林隆 ;

大塚隆史 .

中国专利 :CN1767200A ,2006-05-03

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