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一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910031872.7
申请日
:
2019-01-14
公开(公告)号
:
CN109471486B
公开(公告)日
:
2019-03-15
发明(设计)人
:
李靖
张哲
张启辉
申请人
:
申请人地址
:
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
:
G05F1575
IPC分类号
:
代理机构
:
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232
代理人
:
葛启函
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/575 申请日:20190114
2020-03-17
授权
授权
2019-03-15
公开
公开
共 50 条
[1]
一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路
[P].
刘洋
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刘洋
;
李甜
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李甜
;
李耀合
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李耀合
;
刘伟忠
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刘伟忠
;
徐振涛
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徐振涛
;
毛文彪
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毛文彪
;
于奇
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于奇
.
中国专利
:CN104503528A
,2015-04-08
[2]
一种低噪声带隙基准电路
[P].
黄少卿
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黄少卿
;
罗永波
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罗永波
;
宣志斌
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宣志斌
;
肖培磊
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肖培磊
.
中国专利
:CN112379715A
,2021-02-19
[3]
一种低噪声带隙基准电路
[P].
王尧
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王尧
;
程理丽
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程理丽
;
贾世旺
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贾世旺
;
赵飞
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赵飞
;
韩威
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韩威
.
中国专利
:CN114740943A
,2022-07-12
[4]
一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路检测装置
[P].
王峰
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王峰
;
王庆
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王庆
;
郭霞
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郭霞
.
中国专利
:CN213904168U
,2021-08-06
[5]
一种高精度低噪声带隙基准电路
[P].
张瑛
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机构:
玄武石半导体(武汉)有限公司
玄武石半导体(武汉)有限公司
张瑛
;
王春来
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机构:
玄武石半导体(武汉)有限公司
玄武石半导体(武汉)有限公司
王春来
.
中国专利
:CN118963474A
,2024-11-15
[6]
低噪声带隙基准
[P].
R.L.维内
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R.L.维内
.
中国专利
:CN102207741A
,2011-10-05
[7]
一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法
[P].
李纪平
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
李纪平
;
苗清
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
苗清
;
苏昊泽
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
苏昊泽
;
汪涛
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
汪涛
;
李梦姣
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
李梦姣
;
饶光煊
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
饶光煊
;
孙铭
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
孙铭
;
余雯昕
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机构:
北京智芯微电子科技有限公司
北京智芯微电子科技有限公司
余雯昕
.
中国专利
:CN118444736A
,2024-08-06
[8]
低噪声带隙基准电路和基准源产生系统
[P].
张琦
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张琦
.
中国专利
:CN102681584B
,2012-09-19
[9]
低噪声带隙基准输出电压建立电路
[P].
王日炎
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王日炎
;
吴子莹
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吴子莹
;
郝强宇
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郝强宇
;
周伶俐
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周伶俐
;
贺黉胤
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贺黉胤
.
中国专利
:CN110703840A
,2020-01-17
[10]
低噪声带隙基准输出电压建立电路
[P].
王日炎
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机构:
广州润芯信息技术有限公司
广州润芯信息技术有限公司
王日炎
;
吴子莹
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机构:
广州润芯信息技术有限公司
广州润芯信息技术有限公司
吴子莹
;
郝强宇
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机构:
广州润芯信息技术有限公司
广州润芯信息技术有限公司
郝强宇
;
周伶俐
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机构:
广州润芯信息技术有限公司
广州润芯信息技术有限公司
周伶俐
;
贺黉胤
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机构:
广州润芯信息技术有限公司
广州润芯信息技术有限公司
贺黉胤
.
中国专利
:CN110703840B
,2024-07-30
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