直拉单晶硅制备的方法

被引：0

申请号：

CN202210868533.6

申请日：

2022-07-21

公开(公告)号：

CN115058774A

公开(公告)日：

2022-09-16

发明(设计)人：

陈奕峰赵金强陈泓钧

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1504 C30B1520

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;郑旭丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20220721
2022-09-16	公开	公开

共 50 条

[1]

直拉单晶硅制备的方法 [P].

陈奕峰 ;

赵金强 ;

陈泓钧 .

中国专利 :CN115044975A ,2022-09-13

[2]

N型直拉单晶硅的制备方法 [P].

乔松 ;

司佳勇 ;

周浩 ;

唐磊 ;

尹东坡 ;

郭凯 .

中国专利 :CN103014836A ,2013-04-03

[3]

用于直拉单晶硅炉的排气罩以及直拉单晶硅炉 [P].

史记全 ;

郭凯 ;

王海渤 ;

雷浩 .

中国专利 :CN201835003U ,2011-05-18

[4]

直拉单晶硅加热装置 [P].

周惠 ;

关树军 ;

洪华 ;

路建华 ;

曾宏强 .

中国专利 :CN220927021U ,2024-05-10

[5]

一种直拉单晶硅方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN108660509A ,2018-10-16

[6]

直拉单晶硅直径测量方法 [P].

郭兵健 ;

徐一俊 ;

黄笑容 ;

万喜增 ;

陈功 ;

蒋委达 .

中国专利 :CN102061517A ,2011-05-18

[7]

一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置 [P].

金光勳 ;

李寅锋 ;

李嘉伟 ;

赵旭良 .

中国专利 :CN117739838A ,2024-03-22

[8]

一种N型直拉单晶硅的制备方法 [P].

王鑫 ;

王艺澄 ;

王军磊 ;

兰志勇 ;

何玉玺 .

中国专利 :CN117737831A ,2024-03-22

[9]

直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直拉单晶炉 [P].

张伟建 ;

杨正华 ;

王正远 ;

郭力 ;

杜婷婷 .

中国专利 :CN116103750B ,2025-06-27

[10]

掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用 [P].

陈鹏 ;

李晓强 .

中国专利 :CN112831828B ,2021-05-25

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