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金属电极结构的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201510621880.9
申请日
:
2015-09-25
公开(公告)号
:
CN106553992A
公开(公告)日
:
2017-04-05
发明(设计)人
:
张瑞朋
丁敬秀
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
B81C100
IPC分类号
:
B81B702
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
高静;吴敏
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-04-05
公开
公开
2017-05-03
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101716973741 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2015106218809 申请日:20150925
2018-06-29
授权
授权
共 50 条
[1]
金属电极的制造方法
[P].
谭芳
论文数:
0
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0
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0
谭芳
.
中国专利
:CN111725064A
,2020-09-29
[2]
多层结构锂金属电极及其制造方法
[P].
孙炳国
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孙炳国
;
张民哲
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张民哲
;
朴恩囧
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朴恩囧
;
梁斗景
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梁斗景
;
崔净勋
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崔净勋
.
中国专利
:CN106716690A
,2017-05-24
[3]
金属电极的制备方法、金属电极及显示面板
[P].
鲜济遥
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鲜济遥
;
周佑联
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周佑联
;
许哲豪
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许哲豪
;
袁海江
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袁海江
.
中国专利
:CN113053741A
,2021-06-29
[4]
金属电极
[P].
韩璧丞
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韩璧丞
;
田相瑞
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田相瑞
;
程交
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程交
.
中国专利
:CN209826723U
,2019-12-24
[5]
陶瓷电容的金属电极及其制造方法
[P].
向性一
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
向性一
;
颜富士
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
颜富士
;
黄启原
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
黄启原
;
李俊德
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
李俊德
;
杨凯勋
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国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
杨凯勋
;
王诗铭
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
王诗铭
.
中国专利
:CN118057558A
,2024-05-21
[6]
一种金属电极制造装置
[P].
王耀华
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王耀华
;
赵哿
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赵哿
;
刘江
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刘江
;
刘钺杨
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刘钺杨
;
高明超
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高明超
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金锐
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金锐
;
温家良
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温家良
.
中国专利
:CN204424217U
,2015-06-24
[7]
半导体器件的金属电极制造方法
[P].
李展信
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李展信
;
赵永翠
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赵永翠
;
徐振宇
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徐振宇
.
中国专利
:CN104779149A
,2015-07-15
[8]
金属电极
[P].
赵伯勋
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赵伯勋
.
中国专利
:CN87103916A
,1988-12-14
[9]
金属电极的保护方法
[P].
吴超
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吴超
;
王官耀
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王官耀
;
张远俊
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张远俊
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朱铭
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朱铭
;
张英
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张英
.
中国专利
:CN111769251A
,2020-10-13
[10]
金属电极的沉积方法
[P].
逯心红
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逯心红
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郝润豹
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郝润豹
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尚飞
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尚飞
.
中国专利
:CN108899756A
,2018-11-27
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