半导体结构及绝缘栅双极型晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121996836.3

申请日：

2021-08-23

公开(公告)号：

CN216054718U

公开(公告)日：

2022-03-15

发明(设计)人：

刘利书

申请人：

申请人地址：

400064 重庆市南岸区美家路70号1号厂房

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

黄景辉;张颖玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、绝缘栅双极型晶体管 [P].

鄢江兵 ;

卢金德 ;

陈献龙 .

中国专利 :CN119495639A ,2025-02-21

[2]

一种半导体绝缘栅双极型晶体管结构 [P].

周万里 .

中国专利 :CN213519979U ,2021-06-22

[3]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;

弗兰克·普菲尔什 ;

霍尔格·豪斯肯 .

中国专利 :CN203288597U ,2013-11-13

[4]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

弗兰克·普菲尔什 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;

霍尔格·豪斯肯 .

中国专利 :CN203288596U ,2013-11-13

[5]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

李伟聪 ;

文雨 ;

姜春亮 .

中国专利 :CN115602722A ,2023-01-13

[6]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

朴在勋 ;

张昌洙 ;

宋寅赫 ;

严基宙 ;

徐东秀 .

中国专利 :CN103839986B ,2014-06-04

[7]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

弗兰克·普菲尔什 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;

霍尔格·豪斯肯 .

中国专利 :CN203456468U ,2014-02-26

[8]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

斋藤顺 ;

町田悟 .

中国专利 :CN103403872B ,2013-11-20

[9]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

霍尔格·豪斯肯 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;

弗兰克·普菲尔什 .

中国专利 :CN203445129U ,2014-02-19

[10]

绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片 [P].

王咏 ;

崔晓 ;

方碧芹 .

中国专利 :CN211700252U ,2020-10-16

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