二氧化硅组合物的选择性蚀刻

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专利类型
发明
申请号
CN200910205725.3
申请日
2009-08-28
公开(公告)号
CN101667609A
公开(公告)日
2010-03-10
发明(设计)人
G·M·米歇尔 S·A·莫蒂卡 A·D·约翰逊
申请人
申请人地址
美国宾夕法尼亚州
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L2100
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
万雪松;韦欣华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
具有改进的选择性的二氧化硅蒸汽蚀刻 [P]. 
安东尼·奥哈拉 .
中国专利 :CN103328688B ,2013-09-25
[2]
用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物 [P]. 
林廷训 ;
金大玹 ;
宇昌震 ;
朴成焕 .
中国专利 :CN102443395B ,2012-05-09
[3]
二氧化硅组合物 [P]. 
近藤圭英 ;
白井博明 .
中国专利 :CN103443225B ,2013-12-11
[4]
高选择性胶态二氧化硅浆液 [P]. 
I·贝洛夫 ;
L·普佩 ;
G·W·帕辛 .
中国专利 :CN1637110A ,2005-07-13
[5]
用于相对于较少掺杂二氧化硅选择性移除较多掺杂二氧化硅的方法 [P]. 
J·A·伊莫尼吉 ;
R·I·文卡塔纳拉亚南 ;
P·P·夏尔马 ;
E·E·克龙 ;
S·萨普拉 .
中国专利 :CN111834215A ,2020-10-27
[6]
改性二氧化硅组合物 [P]. 
本间刚 ;
近藤圭英 ;
白井博明 .
中国专利 :CN104583332A ,2015-04-29
[7]
相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构 [P]. 
K·Y·郭 ;
L·李 ;
G·T·布莱洛克 .
中国专利 :CN1451176A ,2003-10-22
[8]
二氧化硅‑氧化铝组合物的制备 [P]. 
D·A·库普 ;
L·H·翁奇 ;
F·温特 ;
L·多姆库斯 ;
W·S·凯基斯塔 ;
S·埃尔克马 .
中国专利 :CN104870085B ,2015-08-26
[9]
用于形成二氧化硅膜的组合物、二氧化硅膜的制造方法和二氧化硅膜 [P]. 
卢健培 ;
郭泽秀 ;
张俊英 ;
具仑永 ;
金龙国 ;
金真教 ;
裵镇希 ;
司空峻 ;
徐珍雨 ;
沈秀妍 ;
尹熙灿 ;
李知虎 ;
韩权愚 ;
黄丙奎 .
中国专利 :CN111212881A ,2020-05-29
[10]
基于二氧化硅颗粒的隔热组合物 [P]. 
M·盖斯勒 ;
M·纳吉埃罗 ;
B·格哈尔茨-克尔特 ;
B·拉扎尔 ;
U·努姆里奇 ;
U·伯斯 ;
B·T-W·林 ;
C·别希奥道 .
中国专利 :CN112424139A ,2021-02-26