金属封装瞬态电压抑制二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200920175505.6

申请日：

2009-08-21

公开(公告)号：

CN201438458U

公开(公告)日：

2010-04-14

发明(设计)人：

苗任忠

申请人：

申请人地址：

122000 辽宁省朝阳市双塔区新华路二段75号

IPC主分类号：

H01L2306

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101685081587 IPC(主分类):H01L 23/06 专利号:ZL2009201755056 申请日:20090821 授权公告日:20100414 终止日期:20150821
2010-04-14	授权	授权

共 50 条

[1]

金属封装瞬态电压抑制二极管 [P].

李志福 .

中国专利 :CN204706550U ,2015-10-14

[2]

瞬态电压抑制二极管 [P].

陈永利 .

中国专利 :CN201440417U ,2010-04-21

[3]

瞬态电压抑制二极管 [P].

李志福 .

中国专利 :CN204706568U ,2015-10-14

[4]

瞬态电压抑制二极管封装结构 [P].

许小兵 ;

程勇 ;

吴贵松 ;

李大强 ;

许晓鹏 .

中国专利 :CN104347565A ,2015-02-11

[5]

双向瞬态电压抑制二极管 [P].

王艳春 .

中国专利 :CN204011437U ,2014-12-10

[6]

双向瞬态电压抑制二极管 [P].

黄林棵 ;

闵龙 .

中国专利 :CN207529939U ,2018-06-22

[7]

低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法 [P].

吴贵松 ;

杨秀斌 ;

孙汉炳 .

中国专利 :CN102709276B ,2012-10-03

[8]

瞬态电压抑制二极管封装用塑封工装 [P].

王莹 ;

王旭日 ;

徐晓婷 .

中国专利 :CN214753651U ,2021-11-16

[9]

玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构 [P].

吴贵松 ;

唐文斌 ;

徐年惠 .

中国专利 :CN201549505U ,2010-08-11

[10]

双向贴片瞬态电压抑制二极管 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212136443U ,2020-12-11

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