MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810307956.4

申请日：

2018-04-08

公开(公告)号：

CN108696811B

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

M·施泰尔特 H·托伊斯

申请人：

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H04R1900

IPC分类号：

H04R3100

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郑立柱

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H04R 19/00 申请日:20180408
2021-07-20	授权	授权
2018-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

MEMS元件和声学换能器 [P].

T·布克 .

德国专利 :CN118233818A ,2024-06-21

[2]

MEMS压电声学换能器 [P].

黄湘俊 ;

朱莉莉 ;

石正雨 .

中国专利 :CN223125011U ,2025-07-18

[3]

MEMS声学换能器及制作方法 [P].

黄湘俊 ;

朱莉莉 ;

石正雨 ;

林雪甜 .

中国专利 :CN119743713A ,2025-04-01

[4]

压电声学MEMS换能器及其制造方法 [P].

F·塞利尼 ;

S·阿多尔诺 ;

F·韦尔切西 .

中国专利 :CN110392331A ,2019-10-29

[5]

MEMS声音换能器元件 [P].

S·安辛格尔 ;

C·布雷特豪尔 ;

M·菲尔德纳 .

中国专利 :CN112235703A ,2021-01-15

[6]

MEMS声音换能器元件 [P].

S·安辛格尔 ;

C·布雷特豪尔 ;

M·菲尔德纳 .

德国专利 :CN112235703B ,2024-06-14

[7]

声学换能器和用于声学换能器的薄膜 [P].

克里斯汀·莱姆巴斯尔 ;

阿明·蒂莫尔 .

中国专利 :CN205051859U ,2016-02-24

[8]

MEMS换能器和用于制造MEMS换能器的方法 [P].

W·克莱因 ;

K·吉尔 ;

M·迈耶 .

中国专利 :CN110881163A ,2020-03-13

[9]

MEMS压电声学换能器及其制备方法 [P].

黄湘俊 ;

朱莉莉 ;

石正雨 .

中国专利 :CN117376794A ,2024-01-09

[10]

声学换能器 [P].

李炅泰 ;

金钟培 ;

孙星夏 .

中国专利 :CN107852542A ,2018-03-27

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