一种制备TiO2薄膜电极的简单方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110112568.9

申请日：

2011-05-03

公开(公告)号：

CN102276011A

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

申延明刘东斌樊丽辉宁志高李飞陈晓宇

申请人：

申请人地址：

110142 辽宁省沈阳市经济技术开发区11号

IPC主分类号：

C02F130

IPC分类号：

C03C1723

代理机构：

沈阳技联专利代理有限公司 21205

代理人：

张志刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-17	授权	授权
2011-12-14	公开	公开
2016-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101667752185 IPC(主分类):H01L 31/00 专利号:ZL2011101125689 申请日:20110503 授权公告日:20121017 终止日期:20150503
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101177114395 IPC(主分类):C02F 1/30 专利申请号:2011101125689 申请日:20110503

共 50 条

[1]

一种纳米TiO2薄膜电极的制备方法 [P].

王利萍 .

中国专利 :CN106316151A ,2017-01-11

[2]

一种TiO2薄膜电极及其制备方法 [P].

徐德生 .

中国专利 :CN106006825A ,2016-10-12

[3]

一种制备含有大孔隙的TiO2薄膜电极的方法 [P].

郝青 .

中国专利 :CN104347274A ,2015-02-11

[4]

一种GO-WO3/TiO2微球薄膜电极的制备方法 [P].

李国华 ;

李媛 ;

胡海峰 .

中国专利 :CN111960683A ,2020-11-20

[5]

一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法 [P].

王一喆 ;

蒋俊光 ;

董绍俊 .

中国专利 :CN101285790A ,2008-10-15

[6]

一种低温制备TiO2纳晶多孔薄膜电极的方法 [P].

李学萍 ;

李成玉 ;

周晓文 ;

林原 ;

肖绪瑞 .

中国专利 :CN1719624A ,2006-01-11

[7]

纳米TiO2电极材料的制备方法 [P].

李志宏 ;

李力强 .

中国专利 :CN107785563A ,2018-03-09

[8]

一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法 [P].

卞振锋 ;

刘龙飞 ;

李雅丽 ;

曹锋雷 ;

李和兴 .

中国专利 :CN105350068A ,2016-02-24

[9]

一种TiO2薄膜及P3HT/TiO2有机无机杂化的异质结薄膜的制备方法 [P].

张克磊 ;

白赢赢 ;

王海英 ;

张艳鸽 ;

雷前坤 .

中国专利 :CN103268919B ,2013-08-28

[10]

一种TiO2纳米网络薄膜电极材料的制备方法及其应用 [P].

崔静洁 ;

刘宏 ;

黄震 ;

厉力华 ;

高力 ;

何青芳 .

中国专利 :CN103884754B ,2014-06-25

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