结晶碳包覆硅酸亚铁锂正极材料及制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110126397.5
申请日
2011-05-13
公开(公告)号
CN102208647A
公开(公告)日
2011-10-05
发明(设计)人
蔡舒 余其凯 燕子鹏 周幸
申请人
申请人地址
300072 天津市南开区卫津路92号天津大学
IPC主分类号
H01M458
IPC分类号
H01M41397
代理机构
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201
代理人
王丽
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
多孔碳包覆硅酸亚铁锂正极材料及制备方法 [P]. 
蔡舒 ;
燕子鹏 ;
周幸 ;
苗利娟 .
中国专利 :CN101847711A ,2010-09-29
[2]
一种碳包覆的硅酸亚铁锂正极材料、制备方法及其用途 [P]. 
海晓 ;
褚卫国 ;
王汉夫 .
中国专利 :CN103746116B ,2014-04-23
[3]
一种碳包覆硅酸亚铁锂复合正极材料的制备方法 [P]. 
刘兴泉 ;
张峥 ;
吴玥 ;
赵红远 ;
刘一町 .
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[4]
一种氧位掺杂、碳包覆的硅酸亚铁锂正极材料的制备方法 [P]. 
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[5]
硅酸亚铁锂/碳复合正极材料及其制备方法 [P]. 
潘中来 ;
黄小兵 ;
于作龙 .
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[6]
硅酸亚铁锂正极材料的制备方法 [P]. 
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许云华 ;
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[7]
碳纳米-硅酸亚铁锂复合正极材料的制备方法 [P]. 
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赵毅 ;
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[8]
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杨志远 ;
王聪 ;
张天赐 ;
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[9]
一种碳包覆硅酸亚铁锂的锂离子电池正极材料及其制法 [P]. 
何家均 .
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[10]
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刘兴亮 ;
杨茂萍 .
中国专利 :CN104064772A ,2014-09-24