基于直立式二维薄膜材料的光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110112005.3

申请日：

2021-01-27

公开(公告)号：

CN112820787A

公开(公告)日：

2021-05-18

发明(设计)人：

陈志勇陈明杨春雷童佩斐李国啸

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L31032 H01L31108 H01L3118

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰;刘燚圣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20210127
2021-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

基于直立式二维纳米片同质结阵列的光电探测器及其制备方法 [P].

陈明 ;

高丹宁 ;

杨春雷 ;

苏宇涵 .

中国专利 :CN120916511A ,2025-11-07

[2]

一种二维半导体材料光电探测器及其探测方法 [P].

王恒亮 ;

李瑛 ;

范滇元 .

中国专利 :CN119212344A ,2024-12-27

[3]

一种二维半导体材料光电探测器及其探测方法 [P].

王恒亮 ;

李瑛 ;

范滇元 .

中国专利 :CN119212344B ,2025-03-11

[4]

一种薄膜制备方法及光电探测器 [P].

朱元昊 ;

陈明 ;

杨春雷 ;

陈志勇 ;

严振 ;

徐泽林 .

中国专利 :CN114122192A ,2022-03-01

[5]

一种基于二维材料的光电探测器及其制备方法 [P].

吴章婷 ;

曾培宇 ;

汪曾达 ;

张阳 ;

郑鹏 ;

郑梁 .

中国专利 :CN113644159B ,2024-05-07

[6]

一种基于二维材料的光电探测器及其制备方法 [P].

吴章婷 ;

曾培宇 ;

汪曾达 ;

张阳 ;

郑鹏 ;

郑梁 .

中国专利 :CN113644159A ,2021-11-12

[7]

量子点增强型二维半导体材料光电探测器的制备方法 [P].

于洋 ;

张新宇 ;

李慧 ;

陆瑞锋 .

中国专利 :CN117894872A ,2024-04-16

[8]

二维柔性光电探测器及其制作方法 [P].

王文照 ;

袁蓓蓓 ;

吴亚男 ;

曾卓妍 ;

王茜 ;

欧俊嫣 .

中国专利 :CN120568872A ,2025-08-29

[9]

基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法 [P].

魏钟鸣 ;

王晓亭 ;

李京波 ;

文宏玉 .

中国专利 :CN109950364A ,2019-06-28

[10]

一种增强型二维半导体光电探测器及其制备方法 [P].

李春 ;

胡浩 ;

兰长勇 .

中国专利 :CN113013263A ,2021-06-22

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