半导体传感器和用于半导体传感器的传感器主体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680048294.9

申请日：

2006-12-20

公开(公告)号：

CN101351712B

公开(公告)日：

2009-01-21

发明(设计)人：

泽井努小森一哉

申请人：

申请人地址：

日本富山县

IPC主分类号：

G01P1502

IPC分类号：

H01L2984

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

杜日新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-21	公开	公开
2011-08-31	授权	授权
2009-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-11-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01P 15/02 申请日:20061220 授权公告日:20110831 终止日期:20211220

共 50 条

[1]

半导体传感器以及半导体传感器的制造方法 [P].

泷泽照夫 ;

近藤贵幸 ;

轰原正义 .

中国专利 :CN101493394A ,2009-07-29

[2]

半导体传感器器件和制造半导体传感器器件的方法 [P].

弗兰兹·施兰克 ;

马丁·施雷姆斯 .

中国专利 :CN104704628B ,2015-06-10

[3]

制造半导体传感器装置的方法和半导体传感器装置 [P].

O·文恩尼克 ;

E·P·A·M·巴克斯 ;

A·L·鲁斯特 .

中国专利 :CN101506648A ,2009-08-12

[4]

半导体传感器装置及用于制造半导体传感器装置的方法 [P].

哈拉尔德·埃奇迈尔 ;

丹·雅各布斯 ;

马丁·法奇内利 ;

格哈德·佩哈尔兹 .

:CN117461148A ,2024-01-26

[5]

半导体传感器 [P].

松原直辉 .

中国专利 :CN1822722A ,2006-08-23

[6]

半导体传感器 [P].

宫川成人 ;

牛场翔太 ;

品川步 ;

冈优果 ;

木村雅彦 .

中国专利 :CN115702343A ,2023-02-14

[7]

半导体传感器及其制造方法、以及复合传感器 [P].

内藤孝二郎 ;

长尾和真 ;

村濑清一郎 .

中国专利 :CN109844530A ,2019-06-04

[8]

半导体传感器器件以及用于制备所述半导体传感器器件的方法 [P].

F-P.卡尔茨 ;

J.丹格尔迈尔 .

中国专利 :CN109860311B ,2019-06-07

[9]

半导体传感器结构 [P].

M·科尼尔斯 ;

M-C·韦基 .

中国专利 :CN111211219A ,2020-05-29

[10]

半导体传感器装置 [P].

山口真也 ;

菅沼田真之 ;

青木浩 ;

栗林慧 .

中国专利 :CN107003199B ,2017-08-01

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