含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910089218.8

申请日：

2009-07-09

公开(公告)号：

CN101942196B

公开(公告)日：

2011-01-12

发明(设计)人：

付绍云杨洋

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条2号

IPC主分类号：

C08L8300

IPC分类号：

C08K330 C09K1188 F21V910 H01L3300

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王凤华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-13	授权	授权
2011-01-12	公开	公开
2011-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056089659 IPC(主分类):C08L 83/00 专利申请号:2009100892188 申请日:20090709
2018-07-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08L 83/00 申请日:20090709 授权公告日:20120613 终止日期:20170709

共 50 条

[1]

含纳米ZnO量子点的硅树脂复合材料及其制法和用途 [P].

付绍云 ;

杨洋 ;

肖红梅 ;

杨娇萍 .

中国专利 :CN101649114A ,2010-02-17

[2]

可发射白色荧光的CdSe量子点硅树脂复合材料及制法 [P].

付绍云 ;

李婉男 ;

史汉桥 ;

肖红梅 ;

杨娇萍 .

中国专利 :CN102618035B ,2012-08-01

[3]

硅树脂基复合材料的制备方法 [P].

黄玉东 ;

王磊 ;

刘丽 .

中国专利 :CN101381515A ,2009-03-11

[4]

缝合制备纤维/硅树脂基复合材料的方法 [P].

黄玉东 ;

胡春平 ;

刘丽 ;

周敬杰 .

中国专利 :CN102206418A ,2011-10-05

[5]

硅树脂复合材料及其制造方法、照明器件、应用 [P].

张汝志 ;

葛广路 .

中国专利 :CN104119679B ,2014-10-29

[6]

一种玻纤增强硅树脂基复合材料及其制备方法 [P].

韩永进 ;

洪宁宁 ;

潘国梁 ;

李小虎 ;

颜俊 ;

李福 .

中国专利 :CN108530901B ,2018-09-14

[7]

一种硅树脂基纳米复合材料及其制备方法 [P].

吴连斌 ;

汤龙程 ;

陈利民 ;

赵丽 ;

裴勇兵 ;

龚丽秀 ;

蒋剑雄 ;

邱化玉 .

中国专利 :CN104974528A ,2015-10-14

[8]

为提高其韧性而填充了的硅树脂基复合材料 [P].

弗雷德里克·J·麦克格里 ;

朱毕忠 ;

季米特里斯·E·卡佐里斯 .

中国专利 :CN1638879A ,2005-07-13

[9]

一种耐烧蚀硅树脂复合材料及其制备方法 [P].

刘韬 ;

张恩爽 ;

刘圆圆 ;

孔德隆 ;

徐春晓 ;

李文静 ;

杨洁颖 ;

权成 ;

赵英民 ;

张昊 .

中国专利 :CN112064357A ,2020-12-11

[10]

碳量子点负载型钯纳米复合材料及其制备方法和用途 [P].

伊雯雯 ;

李忠平 ;

李俊芬 ;

董川 .

中国专利 :CN109092297A ,2018-12-28

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