薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管、阵列基板

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专利类型
发明
申请号
CN201510063834.1
申请日
2015-02-06
公开(公告)号
CN104637823B
公开(公告)日
2015-05-20
发明(设计)人
冯翔 魏向东 刘静 邱云
申请人
申请人地址
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L29786
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;陈源
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的阵列基板 [P]. 
王士敏 ;
李俊峰 ;
朱泽力 ;
商陆平 ;
李绍宗 .
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[2]
薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法 [P]. 
姚江波 .
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[3]
薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P]. 
徐铉植 ;
金峰澈 ;
金大元 .
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[4]
有机薄膜晶体管 [P]. 
山贺匠 ;
匂坂俊也 .
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[5]
薄膜晶体管阵列基板 [P]. 
游家华 ;
胡宪堂 ;
任珂锐 ;
赖瑞麒 .
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[6]
薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制备方法 [P]. 
李金明 .
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[7]
薄膜晶体管与薄膜晶体管阵列基板 [P]. 
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[8]
薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及阵列基板 [P]. 
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[9]
薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法 [P]. 
柴立 ;
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[10]
薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的阵列基板 [P]. 
朴宪光 ;
任董壎 .
中国专利 :CN103151358A ,2013-06-12