发光二极管阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811346014.3

申请日：

2013-08-06

公开(公告)号：

CN109638032A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

张锺敏蔡钟炫李俊燮徐大雄金贤儿卢元英姜珉佑

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道安山市

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3338 H01L3340 H01L3362 H01L3344

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

姜长星;孙昌浩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/15 申请日:20130806

共 50 条

[1]

发光二极管阵列 [P].

蔡钟炫 ;

张锺敏 .

中国专利 :CN204668307U ,2015-09-23

[2]

发光二极管阵列 [P].

张锺敏 ;

蔡钟炫 ;

李俊燮 ;

徐大雄 ;

金贤儿 ;

卢元英 ;

姜珉佑 .

中国专利 :CN111223973A ,2020-06-02

[3]

晶圆级发光二极管阵列 [P].

张锺敏 ;

蔡钟炫 ;

李俊燮 ;

徐大雄 ;

金贤儿 ;

卢元英 ;

姜珉佑 .

中国专利 :CN104620399A ,2015-05-13

[4]

发光二极管阵列 [P].

王涛 .

中国专利 :CN114424350A ,2022-04-29

[5]

发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列 [P].

李建和 ;

崔炳均 .

中国专利 :CN107112394A ,2017-08-29

[6]

晶圆级发光二极管阵列 [P].

张锺敏 ;

蔡钟炫 ;

李俊燮 ;

徐大雄 ;

卢元英 ;

姜珉佑 ;

金贤儿 .

中国专利 :CN108461515A ,2018-08-28

[7]

发光二极管阵列 [P].

行本富久 ;

国武荣一 ;

佐佐木幸男 .

中国专利 :CN1835253A ,2006-09-20

[8]

发光二极管阵列 [P].

王涛 .

中国专利 :CN114521296A ,2022-05-20

[9]

发光二极管阵列 [P].

杨宗宪 ;

巫汉敏 ;

王志贤 ;

陈怡名 ;

徐子杰 .

中国专利 :CN103681724A ,2014-03-26

[10]

发光二极管阵列 [P].

杨宗宪 ;

巫汉敏 ;

王志贤 ;

陈怡名 ;

徐子杰 .

中国专利 :CN108630720B ,2018-10-09

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