半导体装置以及半导体装置制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610688444.8

申请日：

2016-08-19

公开(公告)号：

CN106469651A

公开(公告)日：

2017-03-01

发明(设计)人：

大浦雅史藤井康博

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L21306 H01L2708 H01L2182

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

秦琳;陈岚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	公开	公开
2019-03-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/304 申请公布日:20170301

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

森彻 .

中国专利 :CN114334903A ,2022-04-12

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

葛西礼美 .

中国专利 :CN110364563A ,2019-10-22

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

三轮纯也 .

日本专利 :CN121126830A ,2025-12-12

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小川惠理 ;

吉村尚 .

中国专利 :CN105814693B ,2016-07-27

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

清水壮 .

日本专利 :CN118645528A ,2024-09-13

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

葛西礼美 .

日本专利 :CN110364563B ,2024-06-04

[7]

半导体装置制造方法以及半导体装置 [P].

樱井大辅 ;

后川和也 .

中国专利 :CN103959451A ,2014-07-30

[8]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

塚本弘昌 ;

藤田和弥 ;

安留高志 .

中国专利 :CN1744302A ,2006-03-08

[9]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[10]

半导体装置以及制造半导体装置的方法 [P].

梁志豪 ;

波姆皮奥·V·乌马里 ;

杨顺迪 ;

林根伟 .

中国专利 :CN107017222A ,2017-08-04

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