半导体器件、半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110197939.1

申请日：

2021-02-22

公开(公告)号：

CN113299733A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

黄懋霖朱龙琨徐崇威余佳霓江国诚程冠伦王志豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L29423 H01L2978 H01L27088 H01L218234 H01L21336 H01L2128 B82Y4000

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210222
2021-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

徐崇威 ;

余佳霓 ;

江国诚 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113299733B ,2024-04-30

[2]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

翁圣勋 ;

张世杰 .

中国专利 :CN119789476A ,2025-04-08

[3]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

郑嵘健 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

陈冠霖 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN114551355A ,2022-05-27

[4]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

李庆 .

中国专利 :CN110828665A ,2020-02-21

[5]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

卢炜业 ;

欧阳良岳 ;

黄鸿仪 ;

简瑞宏 ;

林俊杰 .

中国专利 :CN118712134A ,2024-09-27

[6]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

蒋鑫 .

中国专利 :CN111627977A ,2020-09-04

[7]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

[8]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN113013323A ,2021-06-22

[9]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

郑嵘健 ;

王志豪 .

中国专利 :CN118412352A ,2024-07-30

[10]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

林志轩 ;

陈玺中 ;

廖志腾 .

中国专利 :CN113745215B ,2024-12-24

← 1 2 3 4 5 →