含喹啉的共轭高聚物及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01139777.2

申请日：

2001-11-30

公开(公告)号：

CN1139618C

公开(公告)日：

2003-06-04

发明(设计)人：

占肖卫刘云圻武霞王帅朱道本

申请人：

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村北一街2号

IPC主分类号：

C08G7306

IPC分类号：

C09K1106

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-06-04	公开	公开
2004-02-25	授权	授权
2009-01-28	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

含噁二唑的共轭高聚物及其应用 [P].

占肖卫 ;

刘云圻 ;

武霞 ;

朱道本 .

中国专利 :CN1164626C ,2003-06-04

[2]

含喹喔啉的共轭高聚物及其应用 [P].

占肖卫 ;

刘云圻 ;

朱道本 .

中国专利 :CN1139617C ,2003-06-04

[3]

含腈基苯撑乙烯的共轭高聚物及其应用 [P].

占肖卫 ;

刘云圻 ;

武霞 ;

朱道本 .

中国专利 :CN1181399C ,2003-06-04

[4]

含有8－羟基喹啉金属配合物的交联高聚物及其制法和用途 [P].

杜乃婴 ;

吕满庚 ;

梅群波 .

中国专利 :CN1594403A ,2005-03-16

[5]

具有螺中心的共轭高聚物以及它们的应用 [P].

W·科略德 ;

D·卢博 ;

J·萨伯克 ;

H·森克 ;

T·思特林 .

中国专利 :CN1129714A ,1996-08-28

[6]

一种含硅杂环戊二烯的共轭聚合物及其应用 [P].

陈军武 ;

曹镛 ;

汪锋 .

中国专利 :CN1663971A ,2005-09-07

[7]

一种共轭高聚物基复合材料及其制备方法和应用 [P].

赵九龙 ;

王世革 ;

张良 ;

李兆申 .

中国专利 :CN117777720A ,2024-03-29

[8]

含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的交联聚合物及其制备方法 [P].

梅群波 ;

吕满庚 ;

童碧海 .

中国专利 :CN101058616B ,2007-10-24

[9]

含硒杂环化合物的聚合物及其在制备发光材料中的应用 [P].

曹镛 ;

阳仁强 ;

杨伟 .

中国专利 :CN101343352A ,2009-01-14

[10]

含硒杂环化合物的聚合物及其在制备发光材料中的应用 [P].

曹镛 ;

阳仁强 ;

杨伟 .

中国专利 :CN100558766C ,2003-01-08

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