制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510627931.9

申请日：

2015-09-28

公开(公告)号：

CN105470140B

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

T·施勒塞尔 A·梅瑟

申请人：

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郑立柱

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658481433 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015106279319 申请日:20150928
2019-01-04	授权	授权
2016-04-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽尔 ;

M.佩尔茨尔 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103794649B ,2014-05-14

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103855221A ,2014-06-11

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103855222A ,2014-06-11

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

八木下淳史 ;

斋藤友博 .

中国专利 :CN1235291C ,2003-10-22

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

余绍铭 ;

李东颖 ;

云惟胜 ;

杨富祥 .

中国专利 :CN109585555B ,2019-04-05

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

真利子岳比郎 ;

冈本康宏 ;

长濑仙一郎 .

中国专利 :CN115642172A ,2023-01-24

[8]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

余绍铭 ;

李东颖 ;

云惟胜 ;

杨富祥 .

中国专利 :CN114664927A ,2022-06-24

[10]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

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