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忆阻器和阻变式存储器
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821535391.7
申请日
:
2018-09-19
公开(公告)号
:
CN208690303U
公开(公告)日
:
2019-04-02
发明(设计)人
:
姚国峰
沈健
申请人
:
申请人地址
:
518045 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
IPC主分类号
:
H01L4500
IPC分类号
:
代理机构
:
北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329
代理人
:
范华英;毛威
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-02
授权
授权
共 50 条
[1]
忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器
[P].
姚国峰
论文数:
0
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0
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姚国峰
;
沈健
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沈健
.
中国专利
:CN111279499A
,2020-06-12
[2]
忆阻器及其制作方法、阻变式存储器
[P].
胡泽望
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胡泽望
;
姚国峰
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姚国峰
;
沈健
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沈健
.
中国专利
:CN114223067A
,2022-03-22
[3]
侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法
[P].
唐建石
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机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
唐建石
;
胡若飞
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机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
胡若飞
;
高滨
论文数:
0
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机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
高滨
;
钱鹤
论文数:
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机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
钱鹤
;
吴华强
论文数:
0
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机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
吴华强
.
中国专利
:CN119365064A
,2025-01-24
[4]
忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM
[P].
姚国峰
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姚国峰
;
沈健
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沈健
.
中国专利
:CN110546778A
,2019-12-06
[5]
阻变式存储器单元及其制造方法和阻变式存储器
[P].
三重野文健
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三重野文健
.
中国专利
:CN105514263A
,2016-04-20
[6]
阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器
[P].
姚国峰
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姚国峰
;
沈健
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沈健
.
中国专利
:CN110557969A
,2019-12-10
[7]
阻变式存储单元和阻变式存储器
[P].
许天辉
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许天辉
;
马向超
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马向超
;
王坤
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王坤
.
中国专利
:CN111916127B
,2020-11-10
[8]
阻变存储器的制造方法及阻变存储器
[P].
杨芸
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机构:
昕原半导体(杭州)有限公司
昕原半导体(杭州)有限公司
杨芸
;
仇圣棻
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机构:
昕原半导体(杭州)有限公司
昕原半导体(杭州)有限公司
仇圣棻
;
陈亮
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0
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机构:
昕原半导体(杭州)有限公司
昕原半导体(杭州)有限公司
陈亮
;
李晓波
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机构:
昕原半导体(杭州)有限公司
昕原半导体(杭州)有限公司
李晓波
.
中国专利
:CN116322286B
,2025-04-25
[9]
阻变存储器及阻变存储器的制造方法
[P].
田伟思
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田伟思
;
邹荣
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邹荣
;
官郭沁
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0
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官郭沁
;
王奇伟
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王奇伟
;
陈昊瑜
论文数:
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陈昊瑜
.
中国专利
:CN111312895A
,2020-06-19
[10]
忆阻存储器
[P].
陈广龙
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陈广龙
;
陈昊瑜
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陈昊瑜
.
中国专利
:CN103178207A
,2013-06-26
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