忆阻器和阻变式存储器

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821535391.7
申请日
2018-09-19
公开(公告)号
CN208690303U
公开(公告)日
2019-04-02
发明(设计)人
姚国峰 沈健
申请人
申请人地址
518045 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
代理机构
北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329
代理人
范华英;毛威
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器 [P]. 
姚国峰 ;
沈健 .
中国专利 :CN111279499A ,2020-06-12
[2]
忆阻器及其制作方法、阻变式存储器 [P]. 
胡泽望 ;
姚国峰 ;
沈健 .
中国专利 :CN114223067A ,2022-03-22
[3]
侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法 [P]. 
唐建石 ;
胡若飞 ;
高滨 ;
钱鹤 ;
吴华强 .
中国专利 :CN119365064A ,2025-01-24
[4]
忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM [P]. 
姚国峰 ;
沈健 .
中国专利 :CN110546778A ,2019-12-06
[5]
阻变式存储器单元及其制造方法和阻变式存储器 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN105514263A ,2016-04-20
[6]
阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器 [P]. 
姚国峰 ;
沈健 .
中国专利 :CN110557969A ,2019-12-10
[7]
阻变式存储单元和阻变式存储器 [P]. 
许天辉 ;
马向超 ;
王坤 .
中国专利 :CN111916127B ,2020-11-10
[8]
阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P]. 
杨芸 ;
仇圣棻 ;
陈亮 ;
李晓波 .
中国专利 :CN116322286B ,2025-04-25
[9]
阻变存储器及阻变存储器的制造方法 [P]. 
田伟思 ;
邹荣 ;
官郭沁 ;
王奇伟 ;
陈昊瑜 .
中国专利 :CN111312895A ,2020-06-19
[10]
忆阻存储器 [P]. 
陈广龙 ;
陈昊瑜 .
中国专利 :CN103178207A ,2013-06-26