半导体存储装置以及读出方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110201670.X
申请日
2021-02-23
公开(公告)号
CN113496755A
公开(公告)日
2021-10-12
发明(设计)人
妹尾真言
申请人
申请人地址
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
IPC主分类号
G11C2942
IPC分类号
G11C1634
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
宋兴;刘芳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
妹尾真言 .
中国专利 :CN113496755B ,2024-03-22
[2]
半导体存储装置及其读出方法 [P]. 
小嶋英充 .
中国专利 :CN108022623A ,2018-05-11
[3]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
山内一贵 ;
妹尾真言 ;
村上洋树 .
中国专利 :CN109801651A ,2019-05-24
[4]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
白田理一郎 ;
矢野胜 .
中国专利 :CN113345503A ,2021-09-03
[5]
半导体存储装置以及读出方法 [P]. 
白田理一郎 ;
矢野胜 .
中国专利 :CN113345503B ,2024-05-14
[6]
半导体存储装置以及数据读出方法 [P]. 
清水直树 .
中国专利 :CN108573732A ,2018-09-25
[7]
半导体存储装置及其数据读出方法 [P]. 
小嶋英充 .
中国专利 :CN108305661B ,2018-07-20
[8]
半导体存储装置及读出方法 [P]. 
葛西央伦 .
中国专利 :CN113539330A ,2021-10-22
[9]
半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法 [P]. 
佐野圣志 .
中国专利 :CN108735259A ,2018-11-02
[10]
半导体存储装置 [P]. 
村上洋树 ;
小嶋英充 .
中国专利 :CN109102836B ,2018-12-28