电子器件和光电器件的电极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02825769.3

申请日：

2002-11-26

公开(公告)号：

CN100531500C

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

桑托斯·F·阿尔瓦拉多蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩布莱恩·克龙尤特·德雷克斯勒罗兰·W·杰曼西格弗里德·F·卡格彼得·米勒黑克·赖尔沃尔特·里斯比特·鲁斯塔勒保罗·塞德勒罗兰·W·威德默

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H05B3322

IPC分类号：

H01L5150

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元;赵仁临

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-29	公开	公开
2009-08-19	授权	授权
2017-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 51/50 登记生效日:20171129 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2017-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 51/50 登记生效日:20171129 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约州变更后权利人:美国纽约
2020-11-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20021126 授权公告日:20090819 终止日期:20191126

共 50 条

[1]

电极结构、电极及电子器件 [P].

F·塞利尼 ;

S·阿多尔诺 ;

D·帕希 ;

M·萨利纳 .

中国专利 :CN216624272U ,2022-05-27

[2]

电子器件和电子器件的结构 [P].

M·诺恩盖拉德 ;

T·欧埃克斯 .

中国专利 :CN218299803U ,2023-01-13

[3]

电极和光电子器件以及用于制造光电子器件的方法 [P].

西尔克·恰尔纳 ;

托马斯·韦卢斯 .

中国专利 :CN105378965A ,2016-03-02

[4]

电子器件、光电子器件、器件装置和用于制造电子器件的方法 [P].

L.海贝格尔 ;

M.施佩尔 .

中国专利 :CN107112385A ,2017-08-29

[5]

光电子器件和光电子器件的制造方法 [P].

沃尔特·韦格莱特 ;

诺贝特·斯塔特 ;

贝尔特·布劳内 ;

卡尔·魏德纳 ;

马蒂亚斯·雷布汉 ;

汉斯·维尔克施 .

中国专利 :CN101904005B ,2010-12-01

[6]

光电子器件和制造光电子器件的方法 [P].

余国民 .

中国专利 :CN114391122A ,2022-04-22

[7]

光电子器件、光电子器件复合件和制造光电子器件的方法 [P].

大卫·欧布里安 ;

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107851695A ,2018-03-27

[8]

光电子器件和制造光电子器件的方法 [P].

S·S·安琪瑞迪 ;

L·K·维斯 .

中国专利 :CN103247610B ,2013-08-14

[9]

制造光电子器件的方法和光电子器件 [P].

S·斯托尔 ;

M·劳布舍尔 .

中国专利 :CN115152038A ,2022-10-04

[10]

光电子器件和制造光电子器件的方法 [P].

卡罗拉·迭斯 ;

阿恩特·耶格 ;

埃尔温·兰 ;

乌尔里希·尼德迈尔 ;

尼纳·里格尔 ;

冈特·施密德 ;

斯特凡·塞德尔 .

中国专利 :CN104508852B ,2015-04-08

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