透明导电膜制造用的氧化物烧结体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980137651.2

申请日：

2009-09-18

公开(公告)号：

CN102171160A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

生泽正克矢作政隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C23C1408 C23C1434 C23C1458 H01B514 H01B1300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

蔡晓菡;林毅斌

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101681655916 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2009801376512 申请公布日:20110831
2011-08-31	公开	公开
2011-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120312567 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2009801376512 申请日:20090918

共 50 条

[1]

透明导电膜制造用的氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN102171159A ,2011-08-31

[2]

氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

秋池良 ;

土田裕也 ;

仓持豪人 .

中国专利 :CN108698932B ,2018-10-23

[3]

复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

仓持豪人 ;

玉野公章 ;

秋池良 ;

饭草仁志 .

中国专利 :CN104520467A ,2015-04-15

[4]

氧化物烧结体及其制造方法,以及溅射靶及透明导电膜 [P].

森中泰三 ;

尾野直纪 .

中国专利 :CN1990422A ,2007-07-04

[5]

氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04

[6]

复合氧化物烧结体、溅射靶、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P].

仓持豪人 ;

玉野公章 ;

饭草仁志 ;

秋池良 ;

涉田见哲夫 .

中国专利 :CN103987678B ,2014-08-13

[7]

氧化物烧结体和其制造方法、靶及透明导电膜 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104058728A ,2014-09-24

[8]

氧化物烧结体、其制造方法、用它制造透明导电膜的方法以及所得的透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN101038796B ,2007-09-19

[9]

氧化物烧结体 [P].

阿部能之 .

中国专利 :CN1326154C ,2004-03-03

[10]

氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法 [P].

高见英生 ;

生泽正克 .

中国专利 :CN105439541A ,2016-03-30

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